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基于MO-OTAS和CCCII電流模式通用濾波器

作者: 時(shí)間:2009-11-20 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

為了實(shí)現(xiàn)上述電路功能,設(shè)置±中的偏置電流Ibi=6.0μA,偏置電壓VDD=-VSS=1.85 V,PMOS的寬和長(zhǎng)分別為W=3μm,L=2μm;NMOS的寬和長(zhǎng)分別為W=3μm,L=4μm。
設(shè)置OTA中的偏置電流Ibp=5.5μA,偏置電壓VDD=-VSS=1.85 V,PMOS與NMOS的寬長(zhǎng)是W=4 μm,L=2μm。
作為一個(gè)設(shè)計(jì)例子,將低通、高通、帶通、帶阻和全通的中心頻率設(shè)置為10 kHz,設(shè)置電路電容為C1=C2=C3=10-9F,仿真結(jié)果如圖5、圖6所示。其中,圖5為低通、高通、帶通、帶阻波形。圖6為調(diào)節(jié)中偏置電流Ibi,使其分別為3μA,6μA,12μA,24μA下所得到的低通波形圖像。

由表1,表2可以看出,改變電路品質(zhì)因數(shù)Q的值,可以通過兩種方法實(shí)現(xiàn),即調(diào)節(jié)電路和改變硬件。對(duì)于電路的調(diào)節(jié),可以給定C1=C2=C3=1×10-9F,只需調(diào)節(jié)OTA1的偏置電流,進(jìn)而改變跨導(dǎo)的大小,以此表達(dá)改變品質(zhì)因數(shù)的目的。另外一種是通過改變C1的大小來改變品質(zhì)因數(shù)。圖7,圖8分別以帶通和帶阻來實(shí)現(xiàn)上述功能。

5 結(jié) 語
這里提出一種新穎的相結(jié)合的二階多功能,所設(shè)計(jì)的頻率可調(diào),只需適當(dāng)調(diào)節(jié)CCCII的偏置電流,即可達(dá)到調(diào)節(jié)CCCII內(nèi)部電阻RX,使得的調(diào)諧能力大大提高。另外,還提出了兩種改變品質(zhì)因數(shù)的方法,通過實(shí)驗(yàn)證明了中心頻率與品質(zhì)因數(shù)之間的相互獨(dú)立性,而且由于沒有使用浮地電容,便于實(shí)現(xiàn)集成。且ω0,Q對(duì)無源元件靈敏度低。仿真結(jié)果驗(yàn)證了它在較寬的頻率范圍內(nèi)表現(xiàn)良好。


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