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VRS51L3074與串行FRAM在LED顯示屏中的應(yīng)用

作者: 時(shí)間:2009-09-14 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
圖3為由2個(gè)串行雙端口RAM模塊構(gòu)成的LED顯示屏控制系統(tǒng)。工作時(shí)數(shù)據(jù)處理單片機(jī)與數(shù)據(jù)顯示單片機(jī)通過(guò)2條控制線進(jìn)行同步工作,其中數(shù)據(jù)處理單片機(jī)為主機(jī),數(shù)據(jù)顯示單片機(jī)為從機(jī)。在實(shí)際應(yīng)用中,可通過(guò)增加串行雙端口RAM模塊的數(shù)量,或增加74HCl64的級(jí)數(shù)來(lái)增加LED顯示屏的高度。LED顯示屏水平方向的長(zhǎng)度只與數(shù)據(jù)顯示單片機(jī)以及串行的SPI時(shí)鐘頻率有關(guān),在SPI時(shí)鐘頻率為20 MHz時(shí),水平方向的長(zhǎng)度可達(dá)2 048點(diǎn)。在雙向驅(qū)動(dòng)模式下,LED顯示屏的高度由串行雙端口RAM模塊的數(shù)量確定。水平方向的長(zhǎng)度在40 MHz時(shí)無(wú)灰度可達(dá)4 096點(diǎn),在8級(jí)灰度情況下可達(dá)512點(diǎn);而垂直方向3片經(jīng)74HCl64串并轉(zhuǎn)換后的3字節(jié)(共24位),雙色點(diǎn)數(shù)=24÷2x16=192點(diǎn),單色點(diǎn)數(shù)=24×16=384點(diǎn)。
FM25L256B串行的讀寫(xiě)與串行Flash基本一致。最大的特點(diǎn)是寫(xiě)一個(gè)字節(jié)后不需要像串行Flash那樣查詢(xún)寫(xiě)操作是否完成,而是像順序讀操作一樣連續(xù)寫(xiě);既不需要先擦除再寫(xiě)入,也沒(méi)有讀寫(xiě)次數(shù)的限制,完全可像RAM一樣使用。51的SPI接口速度為系統(tǒng)時(shí)鐘的1/2,一般51單片機(jī)的SPI接口速度都是系統(tǒng)時(shí)鐘的1/4(沒(méi)有下載脈沖),因此51的SPI接口的某些特性在LED顯示屏控制系統(tǒng)中有極為重要的作用。同樣,串行FRAM和51共同構(gòu)成的雙端口RAM控制系統(tǒng),可利用VRS51L3074的SPI接口非常方便地完成多字節(jié)讀寫(xiě)。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/188644.htm

3 雙MCU共用雙端口RAM協(xié)同工作
首先,數(shù)據(jù)處理單片機(jī)在模塊O和模塊1中組織同樣的顯示數(shù)據(jù),然后通過(guò)顯示控制端啟動(dòng)數(shù)據(jù)顯示單片機(jī)。數(shù)據(jù)顯示單片機(jī)對(duì)串行FRAM只有讀的權(quán)力,只能同時(shí)通過(guò)CSO片選模塊0或1中的3片F(xiàn)RAM,并通過(guò)SO端同時(shí)給模塊O或l中的3片F(xiàn)RAM送顯示數(shù)據(jù)的首地址;然后在SCK的作用下,模塊O或1中的3片F(xiàn)RAM通過(guò)各自的SO端向?qū)?yīng)74HCl64的SI端輸出顯示數(shù)據(jù),同時(shí)由數(shù)據(jù)顯示單片機(jī)通過(guò)CS3端自動(dòng)產(chǎn)生LED顯示屏單元板所需的移位脈沖。在LED顯示屏一行顯示完成后,數(shù)據(jù)顯示單片機(jī)向數(shù)據(jù)處理單片機(jī)發(fā)出行顯示完成的狀態(tài)信號(hào),同時(shí)等待數(shù)據(jù)顯示單片機(jī)發(fā)出繼續(xù)顯示的指令,當(dāng)接收到繼續(xù)顯示指令后啟動(dòng)下一行的顯示。數(shù)據(jù)處理單片機(jī)可根據(jù)需要通過(guò)端口選擇讓數(shù)據(jù)顯示單片機(jī)顯示模塊O或1中的顯示數(shù)據(jù),且單片機(jī)可在數(shù)據(jù)顯示單片機(jī)顯示的同時(shí),處理雙端口RAM模塊1或O中的顯示數(shù)據(jù)。

結(jié) 語(yǔ)
本文對(duì)LED顯示屏控制系統(tǒng)使用由串行FRAM存儲(chǔ)器組成雙端口RAM的硬件系統(tǒng)和控制方法進(jìn)行了初步的探討。這種雙端口RAM與傳統(tǒng)雙端口RAM的不同之處在于其端口的一端可讀寫(xiě),而另一端只能讀。利用串行FRAM組成雙端口RAM具有控制線少、容量大及價(jià)格低等優(yōu)點(diǎn),在讀寫(xiě)速度要求不是很高的情況下有著良好的應(yīng)用前景。


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