芯片并聯(lián)的分析
3、統(tǒng)計分布可由生產(chǎn)批次數(shù)據(jù)來確定
然而,在實踐中,有些應(yīng)用中并聯(lián)的模塊有20個甚至更多,但并沒有發(fā)生所預(yù)期的問題。這一點可以用統(tǒng)計學(xué)來解釋。與上面所描述的簡化的最壞情況不同,有必要看一下所考慮組合的發(fā)生概率。因此,我們需要有關(guān)所用元件真實正向壓降分布的統(tǒng)計數(shù)據(jù)。為了評估一系列的生產(chǎn)過程,僅查看一個生產(chǎn)批次的統(tǒng)計數(shù)據(jù)是不夠的。實際上,一般來說,有必要考慮不同生產(chǎn)批次的統(tǒng)計數(shù)據(jù)。圖3顯示了IF=50A時,一批總共125000個二極管的正向壓降的正態(tài)統(tǒng)計分布,圖中標(biāo)出了規(guī)格的上下限。在此統(tǒng)計數(shù)據(jù)的基礎(chǔ)上,我們可以計算最壞情況發(fā)生的概率。圖4顯示了基于圖3分布函數(shù)所得到最壞情況的發(fā)生概率。找到一個正向壓降處于規(guī)格上限的二極管的概率非常低:1011個二極管中只有一個二極管的正向壓降等于或大于USL。10個芯片中,一個位于LSL,9個芯片位于USL的概率不到10-99。鑒于這些數(shù)字,可以說由10塊基于真實VF分布和給定規(guī)格限制的芯片所組成的最壞情況幾乎可以排除。
圖3 IF=50A時,125000個續(xù)流二極管正向壓降的統(tǒng)計分布
圖4 基于圖3芯片正態(tài)分布所得到二極管并聯(lián)時最壞情況的發(fā)生概率
與最壞情況分析不同,對于發(fā)生概率為固定常數(shù)(如1ppm)的情況,可以用統(tǒng)計方法計算電流分布中的不平衡。因此,在給定正向電壓分布的基礎(chǔ)上,計算限額被確定,這樣選擇低于或高于限值的概率等于預(yù)先定義的概率(下限計算,LCL;上限計算,UCL)。更透徹的分析表明,對于任意正態(tài)分布,正向電壓的差異都將達到最大值,當(dāng)且僅當(dāng)這些限值被對稱地定義為正態(tài)分布的均值xm:xm-LCL=UCL-xm。
對于設(shè)置規(guī)格界限,由于當(dāng)并聯(lián)芯片數(shù)量增加時,發(fā)生的概率顯著下降,LCL和UCL限值不得不向正態(tài)分布的均值靠近,以維持恒定的概率1ppm。這使得由芯片組合所導(dǎo)致電流分布不平衡的計算落在了計算限額LCL和UCL之外。一個性能較差的組合的發(fā)生概率是1ppm。結(jié)論:100萬個組合中只有一個組合的性能比所示的結(jié)果差。
4、并聯(lián)降額系數(shù)
如果一開始所進行的最壞情況計算用統(tǒng)計方法重復(fù)進行一次,所得的電流和溫度失衡結(jié)果非常不同(見圖5)。對于LCL芯片,每片的電流在n=3時達到最大值64A,然后下降,直到對于20塊并聯(lián)芯片達到一個完全的平衡。結(jié)溫達到最大值,約138℃(與高通態(tài)損耗單個二極管和1ppm概率情況時的約130℃相比)。
圖5 僅根據(jù)二極管通態(tài)壓降變化的影響,發(fā)生概率為1ppm時,
最壞情況和統(tǒng)計方法二者降額因子的比較
對于單個二極管(最壞情況下結(jié)溫為132.2℃,概率為1ppm時結(jié)溫為130.5℃),不同方法(對應(yīng)統(tǒng)計方法的最壞情況)的結(jié)果只有小的差異,而當(dāng)并聯(lián)二極管的數(shù)量越來越多時,所計算出的最高結(jié)溫有很大的差別。
在該數(shù)據(jù)基礎(chǔ)上,可以定義(專門)用于說明所討論模塊(SKM100 GB123D)正向壓降變化的并聯(lián)運行降額因子。為了實現(xiàn)這一目的,我們首先要確定一個并聯(lián)運行最高允許溫度。需要根據(jù)這一額外邊界條件重新計算,該邊界條件就是流過并聯(lián)模塊組的總電流受最高允許溫度限制。一旦這樣做了,可以為最壞情況和統(tǒng)計方法定義降額曲線。
對于最壞情況分析,最高允許結(jié)溫被定義為132.2℃。該溫度等于正向電壓等于規(guī)格上限的單二極管的結(jié)溫。兩芯片并聯(lián)時,每芯片最大電流降至80%。20片芯片并聯(lián)時,每芯片最大電流降至低于額定電流的40%。根據(jù)這一計算結(jié)果,20個額定電流為50A的二極管只能承載400A的電流,或著每個芯片承載20A。這使得并聯(lián)成為一個并非誘人的選項。
在統(tǒng)計辦法中,單個二極管的最高允許溫度為130.5℃(發(fā)生概率為1ppm)。因此,該值被作為溫限。當(dāng)3個二極管并聯(lián)時,最大允許電流下降至88%,這是降額曲線中的最小值。對于三模塊以上的并聯(lián),降額因子增加。對于10個以上模塊的并聯(lián),降額因子甚至超過100%。乍一看,這一令人驚訝的結(jié)果表明對于大量元件并聯(lián)的情況,統(tǒng)計方法證明了元件的并聯(lián)甚至是更有利的方法,換句話說:對于相同的發(fā)生概率,單一模塊不如20個模塊并聯(lián)。
應(yīng)當(dāng)強調(diào)的是,本次調(diào)查僅關(guān)注一個參數(shù)的影響:續(xù)流二極管正向壓降的變化。調(diào)查演示了統(tǒng)計方法的影響,可以擴大到更多的參數(shù)。因此,給定的降額因子只適用于所舉的例子。在實際應(yīng)用中,電流路徑不對稱所帶來的影響甚至更重要,可能需要更高降額[2]。
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