新聞中心

EEPW首頁 > 模擬技術(shù) > 設(shè)計應(yīng)用 > 數(shù)字可編程增益放大器應(yīng)用發(fā)散指數(shù)曲線

數(shù)字可編程增益放大器應(yīng)用發(fā)散指數(shù)曲線

作者: 時間:2009-05-14 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

與單片電路PGA不同,DENT使用分離元件,如運算放大器和開關(guān),所以它可以很容易地通過選擇適當(dāng)?shù)钠骷碗娫醇{入?yún)?shù),如I/O電壓跨度(負(fù)輸入和10V放大器)。指數(shù)生成計時的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性、ADC采樣和RC時間常數(shù)的穩(wěn)定性限定了放大器在增益編程準(zhǔn)確性和抖動方面的實際性能。在示例電路中,當(dāng)T=14.4ms時,1ns的放大器計時錯誤或抖動相當(dāng)于0.007%的增益編程錯誤。 值得慶幸的是,常見的微控制器和數(shù)據(jù)采集設(shè)備幾乎都配備有可編程定時器/計數(shù)器硬件,這通常使精確可重復(fù)的放大/跟蹤控制的數(shù)字生成變得輕而易舉。

在模擬方面,可能存在保存增益設(shè)置準(zhǔn)確性和降低RC組件高精度要求的自校準(zhǔn)算法,但它們已經(jīng)超出了本設(shè)計實例的討論范圍。
許多現(xiàn)代功率MOSFET在5V 時達到導(dǎo)通電阻的低值,甚至在柵極到源極電壓為5V的情況下也可達到。然而,對于大功率MOSFET,特別是絕緣柵極雙極晶體管(IGBT),工程師更希望柵極到源極電壓為12V~15V,因為這些電源開關(guān)的導(dǎo)通電阻在高柵極到源極電壓情況下會進一步降低。例如,國際整流器公司(International Rectifier)的17A額定IRFR024功率MOSFET有一個0.075Ω的導(dǎo)通電阻(參考文獻1)。當(dāng)柵極到源極電壓為12V時,該器件的導(dǎo)通電阻與柵極到源極電壓為5V時的導(dǎo)通電阻相比,下降到其值的41%。當(dāng)開關(guān)電流為10A時,該器件的功耗比柵極到源極電壓為12V時的功耗少6W。

IC1是美國模擬器件公司(Analog Devices)推出的一款A(yù)DuM5230集成電路隔離式驅(qū)動器。它可以將5V的輸入電壓提高到足以驅(qū)動MOSFET導(dǎo)通電阻到一個低值的水平,最大限度地減少功耗(圖1)。 但是,在低開關(guān)頻率的情況下,IC的高端內(nèi)部18V箝位消耗該集成電路從低端5V電源獲得的能量(參考文獻2)。

但是,ADuM5230的輸出電壓未經(jīng)調(diào)節(jié)。 幸好,該集成電路的一個調(diào)節(jié)引腳可以用來控制設(shè)備內(nèi)部脈寬調(diào)制器(PWM)的占空比,將占空比的值從1降至約0.1。當(dāng)調(diào)節(jié)引腳為打開時,默認(rèn)占空比的值為0.55。當(dāng)調(diào)節(jié)引腳連接到5V電源時會出現(xiàn)占空比的最低值。
 
IC2是安華高科技公司推出的一種ASSR-1219高級光MOSFET器件,用于控制調(diào)節(jié)引腳的電壓。該光MOSFET的輸出端之間有一個0V飽和電壓。由于經(jīng)典光耦合器具備一個雙極光電晶體管,在這種情況下用它作IC2不太合適。雙極光電晶體管有0.4V的飽和電壓,并且,一個普通光耦合器的電流傳輸比(CTR)在接近飽和輸出時將顯著降低。 當(dāng)IC1的高端輸出電壓的負(fù)載很輕或者可以忽略時,考慮將調(diào)節(jié)引腳的電壓轉(zhuǎn)為外部電壓電平。

有些時候,IC1的高端輸出電壓VISO會超過VZ(IF)+VFLED~13.5V的約值,其中VZ(IF)是D2的正向電流IF的穩(wěn)壓二極管D1的電壓,VFLED是IC2的發(fā)光二極管D2中的最低正向電壓。IC1超過了這個值,電流開始從D2流過,D2輸出的MOSFET開始導(dǎo)電。 IC2的制造商為開/關(guān)操作而設(shè)計此器件,建議使用的正向電流至少為0.5mA(參考文獻3)。

當(dāng)IC2輸出的MOSFET處在信號級別負(fù)載情況下,幾十微安通過發(fā)光二極管的正向電流導(dǎo)致光MOSFET的導(dǎo)通電阻值從幾乎無窮大變?yōu)閹浊W姆。調(diào)節(jié)引腳的電壓電平上升,而IC1的兩個PWM的占空因數(shù)下降。這一行為建立了一個隔離式負(fù)電壓反饋。 因此,IC2中MOSFET和發(fā)光二極管的溫度對電路的性能影響極小。在輕負(fù)載情況下,5V電源的電流負(fù)載遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于使用打開調(diào)節(jié)引腳的IC1的電流負(fù)載。

測試時,卸載IC1的默認(rèn)電源電流為約94.6 mA。在電路中有反饋的情況下,該值會降到31.7mA。在重載情況下,IC1高端的輸出電流上升到約20mA,并且占空因數(shù)自動上升到一個高于默認(rèn)電源電流的適當(dāng)值。因此,輸出電壓在大約3.7mA ~ 22.6mA的范圍內(nèi)為13.5V。電路的功率效率為20%或更高。在輸出電流為4.5mA的情況下,功率效率為20.5%,而IC1的功率效率約為15%。在電流為3.7mA的情況下,電路的效率可達20%。該值大大高于IC1在調(diào)節(jié)引腳開放時的13%。


上一頁 1 2 下一頁

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉