通過基片薄型化降低導(dǎo)通電阻漸成趨勢(shì)

　　通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢(shì)在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。

　　目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達(dá)到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。

　　比如，羅姆通過研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)。在SiC相關(guān)國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM2013”(2013年9月29日～10月4日舉行)上，該公司比較了該試制SBD與原來利用230μm厚的基片制造的相同耐壓的SBD的導(dǎo)通電阻值。50μm產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻為0.22mΩcm2，減小到了230μm產(chǎn)品的0.48mΩcm2的一半以下。

　　三菱電機(jī)也利用90μm厚的SiC基片試制了耐壓1.2kV的SiCSBD。該公司在ICSCRM2013發(fā)表了相關(guān)成果，雖未公布具體的導(dǎo)通電阻值，但與使用約300μm厚的基片制造的相同耐壓的SBD相比，導(dǎo)通電阻減小了0.4mΩcm2。