中科院極紫外光刻機光源技術研究項目通過驗收 —— 作者： 時間：2007-01-19 來源： 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 1月16日，中國科學院上海光學精密機械研究所“極紫外光刻機光源技術研究”項目通過驗收，這標志著我國在下一代芯片工藝核心技術——極紫外光刻(EUVL)光源轉換效率上已達國際先進水平。 作為一種新型的微電子光刻技術，“極紫外光刻”以波長為13.5納米的“軟X射線”為曝光光源，最終將成為生產更細線寬集成電路的主流技術
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