使用示波器和波形發(fā)生器對(duì)元器件進(jìn)行測(cè)試的方法

本文說明了使用示波器和波形發(fā)生器對(duì)元器件進(jìn)行測(cè)試的方法。將展示電容、電感、二極管、雙極晶體管及電纜的測(cè)試過程。這些測(cè)試方法可用于確定故障部件或識(shí)別無標(biāo)注元器件的作用。

　　測(cè)試配置

　　本測(cè)試案例的基本理念是通過波形發(fā)生器在該元器件上施加一個(gè)激勵(lì)，并通過示波器測(cè)量它的響應(yīng)。安捷倫InfiniiVision X系列示波器采用內(nèi)置波形發(fā)生器，可為元器件測(cè)試提供便利的“一體化”解決方案。應(yīng)當(dāng)注意的是，示波器不能完全替代專用的元器件測(cè)試儀，后者能提供更高的精度和更全面的測(cè)試。

　　圖1顯示了測(cè)量配置。波形發(fā)生器連接到示波器輸入端，另一支路連接至被測(cè)件(DUT)。對(duì)于表貼元器件的測(cè)試，推薦使用安捷倫11060A(或相近產(chǎn)品)進(jìn)行測(cè)試。通過波形發(fā)生器的50Ω內(nèi)阻，對(duì)被測(cè)件施加電壓。通過示波器輸入通道測(cè)量被測(cè)件上的電壓。該示波器受到波形發(fā)生器的觸發(fā)。安捷倫X系列示波器內(nèi)置了觸發(fā)連接，無需使用額外的電纜連接和觸發(fā)配置設(shè)置。用戶只需選擇波形發(fā)生器作為觸發(fā)源即可完成觸發(fā)。

　　電容和電感測(cè)試

　　圖2顯示了示波器在沒有連接被測(cè)件時(shí)的配置和測(cè)量。取平均法可以降低噪聲進(jìn)而提高精度。打開Min、Rise和Fall(10-90%)自動(dòng)測(cè)量，觸發(fā)點(diǎn)的位置設(shè)在左側(cè)。

　　圖2：電容和電感的測(cè)試與測(cè)量(未連接被測(cè)件時(shí))。

　　使用一個(gè)10Hz、100mVpp的方波作為激勵(lì)。針對(duì)被測(cè)件進(jìn)行低電壓在線測(cè)試，無需再連接偏置半導(dǎo)體器件。這種低電壓測(cè)試還可以最大程度減少極化電容中可能會(huì)降低測(cè)量精度的反向泄漏電流.

　　電容測(cè)試

　　電容作為被測(cè)件時(shí)，電路配置為典型的電阻-電容(R-C)結(jié)構(gòu)，其中R是函數(shù)發(fā)生器的50Ω內(nèi)阻。示波器的輸入阻抗為1MΩ，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過波形發(fā)生器的50Ω內(nèi)阻(可以忽略后者)。在測(cè)量上升時(shí)間(10-90%)時(shí)，根據(jù)下面公式可以算出被測(cè)件的電容值：

　　公式1

　　為了獲得最精確的測(cè)量結(jié)果，必須對(duì)測(cè)試系統(tǒng)的電容進(jìn)行測(cè)量，并考慮它對(duì)測(cè)試的影響。在確定值時(shí)，我們建議首先測(cè)量一個(gè)已知的、精確的1nF電容，隨后在測(cè)量結(jié)果中減去1nF即為值。圖3顯示了1nF電容測(cè)量。通過上升時(shí)間測(cè)量(圖3)可計(jì)算出電容值是1.24nF，因此值約為0.24nF。

　　圖3：1nF電容的測(cè)試與測(cè)量。

　　必須認(rèn)真調(diào)整示波器的s/div設(shè)置以便顯示完整的跳變;但不能將顯示速度調(diào)得過慢，否則會(huì)導(dǎo)致分辨率不足、無法精確地測(cè)量跳變。根據(jù)實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，最好將s/div設(shè)置在已測(cè)上升時(shí)間(或下降時(shí)間)的1/2~2倍之間。假設(shè)已測(cè)上升時(shí)間是175ns，則s/div應(yīng)當(dāng)設(shè)為100ns/div或200ns/div。

　　求出值后，可進(jìn)一步對(duì)大于1nF的電容進(jìn)行測(cè)試。因受到波形發(fā)生器的頻率限制，可測(cè)得的電容數(shù)值上限為100uF。降低波形發(fā)生器的頻率即可測(cè)試較大的電容數(shù)值。圖4顯示了47nF電容測(cè)量。在本例中，推算出的電容值是45.9nF。

　　圖4：47nF電容的測(cè)試與測(cè)量。

　　請(qǐng)注意，邊沿跳變開始時(shí)會(huì)出現(xiàn)“尖峰”。在激勵(lì)邊沿通過測(cè)試系統(tǒng)電纜到達(dá)被測(cè)件并返回的過程中會(huì)出現(xiàn)這個(gè)尖峰。它是導(dǎo)致無法精確測(cè)得低于1nF的電容值的主要原因。通過對(duì)被測(cè)件進(jìn)行較短的連接(6英寸)可以降低尖峰的干擾，從而能夠測(cè)試低至250pF的電容值