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磁阻傳感器在汽車中的應(yīng)用研究

作者: 時間:2011-09-16 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
系統(tǒng)仿真

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/197312.htm

  要開發(fā)傳感器系統(tǒng),首先必須對預(yù)期的磁輸入信號有一個總體了解。首先要了解編碼器輪和傳感器頭上永磁體的標準規(guī)格,以及預(yù)期尺寸和公差。通過 ANSYS 方法進行 FEM 仿真可確定磁場。這里就有對編碼器輪、傳感器元件和磁體進行建模的問題(圖 5)。然后便可根據(jù)傳感器元件和編碼器輪之間的距離,確定與之呈函數(shù)關(guān)系的磁場強度。圖 6 是傳感器橋上的磁輸入信號與距離呈函數(shù)關(guān)系的三維圖示。很容易看出輸入信號呈正弦曲線,信號振幅隨距離增加而明顯減小。除了距離之外,位置偏離也會導(dǎo)致振幅減小。例如,如果傳感器頭不在編碼器輪前面的中心位置,那么信號振幅也會減小。根據(jù) FEM仿真方法,這樣也可將機械規(guī)范轉(zhuǎn)化成預(yù)期磁變量。與氣隙變化不同,傾斜會導(dǎo)致偏移,這同樣會影響系統(tǒng)的正常運轉(zhuǎn)。FEM 仿真也可以預(yù)估其造成的影響(圖 7),而且結(jié)果可直接轉(zhuǎn)化為可容許的位置公差。

  確定磁場之后是傳感器系統(tǒng)仿真。AMR 元件的電阻變化是各向異性磁阻效應(yīng)的直接結(jié)果。這樣,磁場仿真的結(jié)果會導(dǎo)致代表信號處理中輸入信號的電阻發(fā)生變化。對模擬前端進行建??刹捎?Simulink。這種行為模型是概念設(shè)計的產(chǎn)物,標志著產(chǎn)品開發(fā)的起點。每個 Simulink 塊對應(yīng)一個模擬信號處理組件,例如放大器或過濾器。但是,尚未考慮模擬組件的控制部分,這由數(shù)字系統(tǒng)實現(xiàn)。HDL 設(shè)計則仿真通過數(shù)字方法實現(xiàn)的功能,而且在完成產(chǎn)品開發(fā)之后就會最終成形。因此,整體系統(tǒng)仿真是 Simulink 對模擬組件的行為模型以及 ModelSim 對 HDL 設(shè)計的共同仿真(圖8)??赏ㄟ^仿真從概念階段順利過渡到 HDL 設(shè)計及后續(xù)階段。在共同仿真中,可用 ModelSim 中部署的 Verilog 代碼逐漸代替 Simulink 參考模型,從而可逐項驗證 HDL 設(shè)計??沙掷m(xù)進行此過程,直到在 Verilog 中實現(xiàn)整個數(shù)字部件,而模擬系統(tǒng)部件仍保持為 Simulink 模型。此工具組合也已證明對 IC 評估同樣有用。自始至終使用這種工具可以更容易理解 IC 行為,并可創(chuàng)建用來分析和解釋任何錯誤的框架。這些工具的主要好處在于,能夠更快速、更準確地答復(fù)客戶的查詢,以及更好地了解與環(huán)境條件相關(guān)的傳感器功能。

  

  圖 6 與傳感器頭和編碼器輪間距離呈函數(shù)關(guān)系的磁輸入信號模擬

  

  圖 7 為確定可容許的位置公差而進行的磁場計算

  

模擬前端和數(shù)字塊的共同仿真

  圖 8 模擬前端和數(shù)字塊的共同仿真



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