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東芝推出采用19納米第二代工藝技術(shù)的新型嵌入式NAND閃存模塊

—— 新產(chǎn)品符合JEDEC e?MMC? 5.0版標(biāo)準(zhǔn)
作者: 時間:2013-11-28 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  東京—公司(TOKYO:6502)日前宣布推出新型閃存模塊(e·MMC),該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的芯片。同時該模塊符合最新的e·MMC™標(biāo)準(zhǔn),旨在應(yīng)用于智能手機、平板電腦和數(shù)字?jǐn)z像機等廣泛的數(shù)字消費品。批量生產(chǎn)將從11月底開始。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/197985.htm

  市場對能夠支持高分辨率視頻和提供更大存儲空間的大容量閃存芯片的需求不斷增長。這種需求在包含控制器功能的存儲器領(lǐng)域尤為明顯,這種存儲器可以使開發(fā)要求降至最低,并使系統(tǒng)整合設(shè)計更加便利。正通過強化其大容量存儲器產(chǎn)品系列來滿足這一需求。

  公司的新型32GB e·MMC在11.5 x 13 x 1.0mm的小封裝中整合了4個64Gbit(相當(dāng)于8GB)NAND芯片(采用東芝的19納米第二代尖端工藝技術(shù)制造)和一個專用控制器。它符合JEDEC于9月發(fā)布的JEDECC e·MMC™ 5.0版標(biāo)準(zhǔn),并且通過采用新的HS400高速接口標(biāo)準(zhǔn)實現(xiàn)了高讀寫性能。

  東芝將在容量為4GB至128GB的e·MMC中使用這些NAND芯片。所有e·MMC都將整合一個控制器來管理NAND應(yīng)用的基本控制功能。

        新產(chǎn)品系列

產(chǎn)品名稱

容量 封裝 量產(chǎn)

THGBMBG8D4KBAIR

32GB

FBGA153
11.5 x 13 x 1.0mm

2013年11月底

THGBMBG7D2KBAIL

16GB

FBGA153
11.5 x 13 x 0.8mm

2013年11月底

  在16GB和32GB產(chǎn)品之后,東芝將依次推出4GB、8GB、64GB和128GB產(chǎn)品。

  主要功能

        ♦ 符合JEDEC e·MMC™ 5.0版標(biāo)準(zhǔn)的接口可以處理基本功能,包括壞塊管理、ECC和驅(qū)動軟件。它可簡化系統(tǒng)開發(fā),最小化制造商的開發(fā)成本,并加快新產(chǎn)品和升級產(chǎn)品的上市速度。

  ♦ 128GB e·MMC產(chǎn)品能夠以128Kbps比特率記錄長達2,222小時的音樂、16.6小時的全高清視頻和38.4小時的標(biāo)清視頻。

  ♦ 新產(chǎn)品采用使用19納米第二代尖端工藝技術(shù)制造的NAND閃存芯片。

        ♦ 新產(chǎn)品采用11.5 x 13mm的小型FBGA封裝,并且擁有符合JEDEC e·MMC™ 5.0版標(biāo)準(zhǔn)的信號(引腳)布局。

        主要規(guī)格
 

產(chǎn)品名稱 THGBMBG8D4KBAIR THGBMBG7D2KBAIL
接口 JEDEC e·MMC™5.0版標(biāo)準(zhǔn)的HS-MMC接口
容量 32GB 16GB
電源電壓 2.7~3.6V(VCC,存儲器核心)
1.7V~1.95V/2.7V~3.6V(VCCQ,接口)
總線寬度 x1 / x4 / x8
寫入速度 90MB/s (順序/HS400模式) 50MB/s (順序/HS400模式)
讀取速度 270MB/s (順序/HS400模式) 270MB/s (順序/HS400模式)
溫度范圍 -25degrees至+85℃
封裝 153Ball FBGA
11.5 x 13 x 1.0mm
153Ball FBGA
11.5 x 13 x 0.8mm

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