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東芝推出采用19納米第二代工藝技術(shù)的新型嵌入式NAND閃存模塊

—— 新產(chǎn)品符合JEDEC e?MMC? 5.0版標(biāo)準(zhǔn)
作者: 時(shí)間:2013-11-28 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  東京—公司(TOKYO:6502)日前宣布推出新型閃存模塊(e·MMC),該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的芯片。同時(shí)該模塊符合最新的e·MMC™標(biāo)準(zhǔn),旨在應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦和數(shù)字?jǐn)z像機(jī)等廣泛的數(shù)字消費(fèi)品。批量生產(chǎn)將從11月底開始。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/197985.htm

  市場(chǎng)對(duì)能夠支持高分辨率視頻和提供更大存儲(chǔ)空間的大容量閃存芯片的需求不斷增長。這種需求在包含控制器功能的存儲(chǔ)器領(lǐng)域尤為明顯,這種存儲(chǔ)器可以使開發(fā)要求降至最低,并使系統(tǒng)整合設(shè)計(jì)更加便利。正通過強(qiáng)化其大容量存儲(chǔ)器產(chǎn)品系列來滿足這一需求。

  公司的新型32GB e·MMC在11.5 x 13 x 1.0mm的小封裝中整合了4個(gè)64Gbit(相當(dāng)于8GB)NAND芯片(采用東芝的19納米第二代尖端工藝技術(shù)制造)和一個(gè)專用控制器。它符合JEDEC于9月發(fā)布的JEDECC e·MMC™ 5.0版標(biāo)準(zhǔn),并且通過采用新的HS400高速接口標(biāo)準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)了高讀寫性能。

  東芝將在容量為4GB至128GB的e·MMC中使用這些NAND芯片。所有e·MMC都將整合一個(gè)控制器來管理NAND應(yīng)用的基本控制功能。

        新產(chǎn)品系列

產(chǎn)品名稱

容量 封裝 量產(chǎn)

THGBMBG8D4KBAIR

32GB

FBGA153
11.5 x 13 x 1.0mm

2013年11月底

THGBMBG7D2KBAIL

16GB

FBGA153
11.5 x 13 x 0.8mm

2013年11月底

  在16GB和32GB產(chǎn)品之后,東芝將依次推出4GB、8GB、64GB和128GB產(chǎn)品。

  主要功能

        ♦ 符合JEDEC e·MMC™ 5.0版標(biāo)準(zhǔn)的接口可以處理基本功能,包括壞塊管理、ECC和驅(qū)動(dòng)軟件。它可簡(jiǎn)化系統(tǒng)開發(fā),最小化制造商的開發(fā)成本,并加快新產(chǎn)品和升級(jí)產(chǎn)品的上市速度。

  ♦ 128GB e·MMC產(chǎn)品能夠以128Kbps比特率記錄長達(dá)2,222小時(shí)的音樂、16.6小時(shí)的全高清視頻和38.4小時(shí)的標(biāo)清視頻。

  ♦ 新產(chǎn)品采用使用19納米第二代尖端工藝技術(shù)制造的NAND閃存芯片。

        ♦ 新產(chǎn)品采用11.5 x 13mm的小型FBGA封裝,并且擁有符合JEDEC e·MMC™ 5.0版標(biāo)準(zhǔn)的信號(hào)(引腳)布局。

        主要規(guī)格
 

產(chǎn)品名稱 THGBMBG8D4KBAIR THGBMBG7D2KBAIL
接口 JEDEC e·MMC™5.0版標(biāo)準(zhǔn)的HS-MMC接口
容量 32GB 16GB
電源電壓 2.7~3.6V(VCC,存儲(chǔ)器核心)
1.7V~1.95V/2.7V~3.6V(VCCQ,接口)
總線寬度 x1 / x4 / x8
寫入速度 90MB/s (順序/HS400模式) 50MB/s (順序/HS400模式)
讀取速度 270MB/s (順序/HS400模式) 270MB/s (順序/HS400模式)
溫度范圍 -25degrees至+85℃
封裝 153Ball FBGA
11.5 x 13 x 1.0mm
153Ball FBGA
11.5 x 13 x 0.8mm

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