EiceDRIVERTM 系列新品：1EDI Compact驅動器

　　2013年12月4日，英飛凌科技股份公司(法蘭克福股票交易所股票代碼：IFX / 美國柜臺交易市場股票代碼：IFNNY)宣布，在今年的電氣自動化系統(tǒng)及元器件(SPS IPC Drives)貿(mào)易展上，英飛凌科技股份有限公司推出針對絕緣電壓高達1200伏的應用的1EDI EiceDRIVERTM Compact單通道柵極驅動器。該款電氣絕緣驅動器的組件采用英飛凌研發(fā)的無磁芯變壓器技術，該技術可以在獨立的輸出引腳上實現(xiàn)高達6安培的輸出電流。該產(chǎn)品的基本系統(tǒng)包括適用于IGBT和MOFET的UVLO(欠壓鎖定)以及在驅動器未連接到電源時的主動關斷設置。1EDI驅動器采用緊湊的DSO-8封裝，可以在高達125°C的環(huán)境溫度下使用，適合于工業(yè)驅動器、逆變器、焊接設備、感應式烹飪電器和服務器或通信所用的電源裝置等應用領域。

　　“通過1EDI驅動器集成電路，我們將豐富的驅動器集成電路系列進一步擴展至緊湊型領域，驅動器集成電路產(chǎn)品系列根據(jù)相關應用和功能而有差分。與2EDL Compact產(chǎn)品一樣，此款新驅動器組件面向消費者和工業(yè)領域的大眾市場。”英飛凌EiceDRIVERTM營銷負責人 Oliver Hellmund說道：“1EDI Compact可靠性高，可以十分安全地控制高壓功率半導體器件。我們推出的緊湊型驅動器系列現(xiàn)在涵蓋了要求電氣絕緣的功率半導體的所有應用領域。”1EDI 驅動器集成電路共有八種不同型號，可以在高達1200伏的電壓下工作，專為采用IGBT或MOSFET的應用領域而設計。

　　新型EiceDRIVERTM產(chǎn)品是首款可以達到100千伏/微秒的CMTI(共模抑制)值的驅動器集成電路。對于MOSFET或者IGBT我們都有專門的驅動器可以提供六安的輸出電流。MOSFET驅動器經(jīng)優(yōu)化，可以與采用CoolMOSTM技術的功率半導體器件相結合使用。由于傳導損耗較低，因此EiceDRIVERTM可以讓新一代CoolMOS C7的效率再提高0.5個百分點。目前輸出電流為4安培、2安培和0.5安培安且僅針對IGBT的其他型號尚在制備中。EiceDRIVERTM中的五種不同型號均有設置獨立的輸出端口，用于對柵極進行充放電。其他三種型號則設計成用于限制柵極電壓(有源米勒箝位)，可以提供3安培、2安培和1安培的輸出電流。

　　除了緊湊型類別，EiceDRIVERTM系列還包括EiceDRIVERTM增強型類別，該類別具備增強型功能，適用于工業(yè)領域和部分消費者領域。

　　供貨和其他信息

　　適用于MOSFET和IGBT并可提供6安輸出電流的1EDI EiceDRIVERTM現(xiàn)在可提供樣品;從2014年1月開始，相關的客戶評估板現(xiàn)也可訂購。此類產(chǎn)品的不同型號預計在2014年3月投產(chǎn)。其他類別的驅動器預期在2014年第一季度可提供樣品;相關生產(chǎn)則計劃在2014年的第二個季度開始。