三星2016年將以量產10納米級守住領先優(yōu)勢

　　三星電子(Samsung Electronics)半導體事業(yè)2016年將正式進入10納米(nm)時代。借著量產18納米DRAM與10納米鰭式場效晶體管(FinFET)制程芯片，以擴大技術差距的策略守住半導體領先優(yōu)勢。

　　據(jù)首爾經濟報導，三星半導體事業(yè)暨裝置解決方案事業(yè)部(Device Solution;DS)在副會長權五鉉主持下，在韓國京畿道器興營業(yè)處召開全球戰(zhàn)略會議。據(jù)傳半導體總監(jiān)金奇南、存儲器事業(yè)部長全永鉉等經營團隊核心人物與海外分公司主管總動員，共商2016年新品量產與各地區(qū)的行銷策略。

　　與會者分享半導體研究所提出的中期技術發(fā)展藍圖，并針對尚未商用化的下一代RAM等未來潛力產品，討論有效率的研發(fā)量產方案。三星有關人士表示，這次戰(zhàn)略會議的討論重點，是如何發(fā)展存儲器與系統(tǒng)半導體兩大主軸，以維持2016年市場地位。

　　據(jù)業(yè)界消息，三星最快2016年上半就會量產18納米DRAM，宣告DRAM就此進入10納米級時代。最早開始生產20納米DRAM的三星電子也以成為首家量產10納米級DRAM的業(yè)者為目標，并力圖與國內外競爭對手維持1~2年的技術差距，以守住存儲器市場第一的地位。

　　此外，三星也正在開發(fā)14納米平面NAND Flash、64層3D NAND等重點產品，部分可望在2016年量產。

　　三星系統(tǒng)半導體在2016年達到10納米制程階段的可能性也很高，據(jù)傳此次會議中，也審視了以最先進制程技術吸引代工事業(yè)客戶的計劃。業(yè)界認為三星最快2016年第4季就可采用10納米FinFET制程量產系統(tǒng)半導體，進度可望超越英特爾(Intel)的14納米與臺積電的16納米制程。

　　另一方面，三星半導體設計能力在2016年也備受期待。三星最近宣布結合移動應用處理器(AP)，與通訊用數(shù)據(jù)芯片的整合芯片Exynos 8 Octa已開發(fā)成功，在2015年底開始量產，并將搭載于2016年上市的旗艦智能型手機。

　　此外，三星也預定在2016年大舉推出下一代系統(tǒng)半導體產品。應用于健康照護穿戴式裝置的生物處理器(Bio Processor)將在上半年首度登場;可讓開發(fā)者自由利用的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)平臺模組ARTIK，也很有機會在2016年上市。