三星新一代FinFET制程可望擄獲高通？

　　一直在先進(jìn)制程晶圓代工技術(shù)領(lǐng)域與臺(tái)積電(TSMC)激烈競(jìng)爭(zhēng)的三星電子(Samsung Electronics)，可能以其第二代14奈米FinFET制程劫走所有高通(Qualcomm)的訂單?三星最近宣布推出了采用其14奈米LPP (Low-Power Plus)技術(shù)的商業(yè)化量產(chǎn)邏輯制程。

　　香港Maybank Kim Eng分析師Warren Lau表示，高通在兩年前約貢獻(xiàn)所有臺(tái)積電訂單的近兩成，到2017年之后會(huì)將大多數(shù)10/14奈米訂單轉(zhuǎn)往三星：“三星會(huì)是未來(lái)高通14奈米晶片與數(shù)據(jù)機(jī)的獨(dú)家供應(yīng)商;10奈米節(jié)點(diǎn)也會(huì)是相同的情況。”

　　三 星表示，高通正采用該公司最新的14奈米LPP制程生產(chǎn)其Snapdragon 820處理器，首批產(chǎn)品將會(huì)應(yīng)用于今年上半年推出的行動(dòng)裝置中;三星還強(qiáng)調(diào)該公司是FinFET技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，其第一代FinFET制程在2015年第 一季推出，當(dāng)時(shí)該公司采用自家14奈米LPE (Low-Power Early)制程生產(chǎn)Exynos 7八核心處理器。而三星將采用新的14奈米LPP制程生產(chǎn)Exynos 8八核心處理器。

　　以上三星的新訊息，恰巧與臺(tái)積電在1月14日的最新預(yù)測(cè)同時(shí)發(fā)布。臺(tái)積電估計(jì)該公司在16/14奈米節(jié)點(diǎn)市場(chǎng)的2016年占有率，將由2015年的50%增加為70%;同時(shí)臺(tái)積電也預(yù)測(cè)市場(chǎng)對(duì)其16奈米產(chǎn)品需求增加，將貢獻(xiàn)該公司2016年度業(yè)績(jī)的兩成左右。

　　三 星與臺(tái)積電都在開(kāi)發(fā)較低價(jià)版本的FinFET制程，以保持市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。在2015年第四季，臺(tái)積電完成開(kāi)發(fā)16nm FinFET Compact (FFC)制程，是該公司在2015年中發(fā)表的16奈米FinFET制程的較低功耗、較低成本版本。臺(tái)積電預(yù)計(jì)16奈米FFC制程會(huì)在本季開(kāi)始量產(chǎn)。

　　而三星系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)與行銷副總裁Charlie Bae表示，該公司將會(huì)繼續(xù)提供先進(jìn)14奈米FinFET制程技術(shù)的衍生版本，以維持技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位。三星表示其最新14奈米LPP制程透過(guò)電晶體結(jié)構(gòu)與技 術(shù)的最佳化，能提供比前一代LPE制程技術(shù)高15%的速度與低15%的功耗。

　　此外三星也表示，透過(guò)采用空乏(fully-depleted) FinFET電晶體，能提供強(qiáng)化的制造能力以克服制程微縮極限。三星預(yù)期14奈米FinFET制程能應(yīng)用于手機(jī)以及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)晶片，還有需求高性能與省電的各種連網(wǎng)與車用晶片。