SK Hynix：?jiǎn)螜C(jī)搭載量提升 2016年存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求持續(xù)成長(zhǎng)

　　受終端各應(yīng)用部門對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)品需求疲弱的影響，2015年第4季韓國(guó)第二大存儲(chǔ)器廠商SK海力士(SK Hynix)營(yíng)收僅達(dá)4.4兆韓元，較前季4.9兆韓元衰退10%，亦較2014年同期衰退14%。

　　在產(chǎn)品價(jià)格下滑、出貨狀況不如預(yù)期，加上營(yíng)業(yè)費(fèi)用占營(yíng)收比重攀升等影響，2015年第4季SK海力士稅后凈利僅達(dá)8,710億韓元，較前季1兆韓元衰退16.9%，不僅獲利表現(xiàn)不如預(yù)期，也是自2014年第4季以來(lái)連續(xù)4季衰退。

　　2015年第4季SK海力士DRAM部門受到PC與移動(dòng)裝置需求疲弱影響，位元出貨量較前季下滑1%，平均銷售單價(jià)更是下滑10%，NAND Flash亦在來(lái)自移動(dòng)裝置需求疲弱的情況下，位元出貨量成長(zhǎng)趨緩，僅達(dá)4%，但平均銷售單價(jià)較季大幅下滑15%，這也使得當(dāng)季SK海力士來(lái)自DRAM營(yíng)收達(dá)3.3兆韓元，季衰退10%，來(lái)自NAND Flash營(yíng)收達(dá)9,720億韓元，季衰退幅度亦為10%。

　　2015年SK海力士全年?duì)I收達(dá)18.8兆韓元，較2014年17.1兆韓元年成長(zhǎng)10%，但受到產(chǎn)品價(jià)格下滑與營(yíng)業(yè)費(fèi)用上升影響，全年稅后凈利僅達(dá)4.3兆韓元，僅較2014年4.2兆韓元成長(zhǎng)3%。

　　DIGITIMES Research估算，2015年SK海力士的DRAM元位出貨量年成長(zhǎng)幅度23.4%，較2014年33%成長(zhǎng)趨緩，但在同期間DRAM平均銷售單價(jià)下滑影響下，來(lái)自DRAM營(yíng)收達(dá)14.1兆韓元，年成長(zhǎng)幅度僅達(dá)6%。

　　2015年SK海力士NAND Flash位元出貨量年成長(zhǎng)幅度62.6%，同期間平均銷售單價(jià)下滑幅度超過(guò)30%的影響下，來(lái)自NAND Flash營(yíng)收達(dá)4.1兆韓元，年成長(zhǎng)幅度24%，為營(yíng)收成長(zhǎng)的重要?jiǎng)恿Α?/p>

　　2016年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求持續(xù)成長(zhǎng)

　　無(wú)論DRAM或NAND Flash市場(chǎng)，在全球景氣依然不佳影響下，加上無(wú)論P(yáng)C或移動(dòng)裝置市場(chǎng)亦都處于淡季，SK海力士對(duì)2016年第1季存儲(chǔ)器市場(chǎng)展望相對(duì)保守。

　　展望2016年DRAM市場(chǎng)，在PC全年出貨量衰退幅度趨緩的預(yù)期下，越來(lái)越多PC支持DDR4，使得PC單機(jī)搭載DRAM位元需求量提升，智能型手機(jī)與伺服器也將朝高容量產(chǎn)品方向移動(dòng)，SK海力士預(yù)估2016年全球DRAM需求量將出現(xiàn)21~23%成長(zhǎng)幅度。

　　至于2016年NAND Flash市場(chǎng)，雖然面臨來(lái)自手機(jī)市場(chǎng)需求減緩，但在SSD對(duì)筆記型電腦市場(chǎng)滲透率提升，加上SSD本身也朝高容量產(chǎn)品方向移動(dòng)，預(yù)估2016年全球NAND Flash需求量將出現(xiàn)37~39%成長(zhǎng)幅度。

　　面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)，在DRAM市場(chǎng)方面，SK海力士除將2z奈米世代制程導(dǎo)入DDR4與LP DDR4的量產(chǎn)外，也將加速1x奈米制程技術(shù)的研發(fā)。至于在NAND Flash市場(chǎng)方面，除將NAND Flash制程升級(jí)至14奈米制程外，也將持續(xù)投入3D NAND技術(shù)研發(fā)，計(jì)劃將由MLC 3D NAND延展至TLC 3D NAND。