ARM攜手聯(lián)華電子共促ARM在28納米IP的領先地位
2月5日消息,ARM 宣布,從即日起全球晶圓專工領導者聯(lián)華電子(UMC)的28納米28HPC工藝可采用ARM Artisan物理IP平臺和ARM POP IP。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201602/286811.htm此舉將擴大ARM在28納米IP的領先地位,使得ARM的生態(tài)合作伙伴能夠通過所有主要的晶圓代工廠獲得最廣泛的28納米基礎IP。該全面性平臺包括標準元件庫(standard cell libraries)和記憶編譯器(memory compilers)以及POP技術,可支持獲業(yè)界廣泛采用的64位ARM Cortex-A53,以及應用于超過10億部手機的高能效ARM Cortex-A7。
ARM物理設計事業(yè)部總經(jīng)理Will Abbey表示:”對于越來越多要求低功耗的應用來說,28納米處理器節(jié)點技術始終被認為是最合適的解決方案。聯(lián)華電子與ARM共同推出的全面性28納米平臺,包括了能支持ARM最受歡迎兩款處理器核心的POP IP。這將通過優(yōu)化系統(tǒng)級芯片 (SoC)實施,實現(xiàn)與移動、物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式市場的創(chuàng)新同步。”
廣獲市場采用的ARM基礎28納米IP,為業(yè)界所有領先的晶圓代工廠提供一致的邏輯架構,并賦予多源外包更高的靈活性。這將有利于現(xiàn)有及新的28納米SoC設計,快速滿足數(shù)十億連網(wǎng)設備的需求。通過采用聯(lián)華電子28HPC工藝的POP IP,客戶可以更快速地響應市場需求變化并把握新的商機。
聯(lián)華電子利用28納米的長節(jié)點特性,幫助越來越多應用獲取價格和性能優(yōu)勢。聯(lián)華電子的28HPC是第二代HKMG 28納米工藝,它擁有比聯(lián)華電子量產(chǎn)的28HPM技術更佳的功耗和性能表現(xiàn)。采用更嚴格的工藝控制和SPICE模型,聯(lián)華電子的28HPC在任何特定的性能閥值條件下都能降低功耗并減少面積。
聯(lián)華電子企業(yè)營銷副總簡山杰表示:“作為全球少數(shù)能夠提供28納米后閘極(gate-last)HKMG工藝的晶圓代工廠之一,聯(lián)華電子憑借在28納米領域所積累的經(jīng)驗優(yōu)勢,將推動28HPC工藝實現(xiàn)量產(chǎn)。許多來自不同應用領域的客戶已與聯(lián)華電子達成合作,采用28HPC工藝設計產(chǎn)品。通過與ARM之間的長期合作,聯(lián)華電子能夠為ARM兩款極高能效的處理器核提供全面的POP IP設計平臺。”
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