摩爾定律“壽終正寢” 半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展靠什么?
應(yīng)變硅和三柵極晶體管等新技術(shù)歷經(jīng)了10多年的研究才得到商用。遠(yuǎn)紫外光技術(shù)被探討的時間更長。而成本因素也需要考慮。相應(yīng)于摩爾定律,我們還有一個洛克定律。根據(jù)后一定律,芯片制造工廠的成本每4年就會翻番。新技術(shù)的發(fā)展可能將帶來更高的芯片集成度,但制造這種芯片的工廠將有著高昂的造價。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201602/287058.htm近期,我們已經(jīng)看到這些因素給芯片公司造成了現(xiàn)實問題。英特爾原計劃于2016年在Cannonlake處理器中改用10納米工藝,這小于當(dāng)前Skylake芯片采用的14納米工藝。去年7月,英特爾調(diào)整了計劃。根據(jù)新計劃,英特爾將推出另一代處理器Kaby Lake,并沿用此前的14納米工藝。Cannonlake和10納米工藝仍在計劃之中,但被推遲至2017年下半年發(fā)布。
與此同時,新增的晶體管變得越來越難用。80至90年代,新增晶體管帶來的價值顯而易見。奔騰處理器的速度遠(yuǎn)高于486處理器,而奔騰2代又遠(yuǎn)好于奔騰1代。只要處理器升級,計算機(jī)性能就會有明顯的提升。然而在進(jìn)入00年代之后,這樣的性能提升逐漸變得困難。受發(fā)熱因素影響,時鐘頻率無法繼續(xù)提高,而單個處理器核心的性能只能實現(xiàn)增量式增長。因此,我們看到處理器正集成更多核心。從理論上來說,這提升了處理器的整體性能,但這種性能提升很難被軟件所利用。
半導(dǎo)體行業(yè)的新路線圖
這一系列困難表明,由摩爾定律驅(qū)動的半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展路線圖即將終結(jié)。但摩爾定律日薄西山并不意味著半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)步的終結(jié)。
愛荷華州大學(xué)的計算機(jī)科學(xué)家丹尼爾-里德(Daniel Reed)打了個比方:“想一想飛機(jī)行業(yè)發(fā)生了什么,一架波音787并不比上世紀(jì)50年代的707快多少,但是它們?nèi)匀皇欠浅2煌膬煞N飛機(jī)?!北热缛娮涌刂坪吞祭w維機(jī)身?!皠?chuàng)新絕對會繼續(xù)下去,但會更細(xì)致和復(fù)雜?!?/p>
2014年,國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖組織決定,下一份路線圖將不再依照摩爾定律?!蹲匀弧冯s志刊文稱,將于下月發(fā)布的下一份路線圖將采用完全不同的方法。
新的路線圖不再專注于芯片內(nèi)部技術(shù),而新方法被稱作“比摩爾更多”。例如,智能手機(jī)和物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展意味著,多樣化的傳感器和低功耗處理器的重要性將大幅提升。用于這些設(shè)備的高集成度芯片不僅需要邏輯處理和緩存模塊,還需要內(nèi)存和電源管理模塊,用于GPS、移動網(wǎng)絡(luò)和WiFi網(wǎng)絡(luò)的模擬器件,甚至陀螺儀和加速計等MEMS器件。
以往,這些不同類型的器件需要用到不同的制造工藝,以滿足不同需求。而新路線圖將提出,如何將這些器件集成在一起。整合不同制造工藝、處理不同原材料需要新的處理和支持技術(shù)。如果芯片廠商希望為這些新市場開發(fā)芯片,那么解決這些問題比提高芯片集成度更重要。
此外,新的路線圖還將關(guān)注新技術(shù),而不僅是當(dāng)前的硅CMOS工藝。英特爾已宣布,在達(dá)到7納米工藝之后,將不再使用硅材料。銻化銦和銦鎵砷化合物都有著不錯的前景。與硅相比,這些材料能帶來更快的開關(guān)速度,而功耗也較低。碳材料,無論是碳納米管還是石墨烯,也在繼續(xù)被業(yè)內(nèi)研究。
在許多備選材料中,二維材料“石墨烯”被看好。這種自旋電子材料通過翻轉(zhuǎn)電子自旋來計算,而不是通過移動電子。這種“毫伏特”量級(操作電壓比“伏特”量級的晶體管要低得多)的電子開關(guān)比硅材料開關(guān)的速度更快,而且發(fā)熱量更小。不幸的是這種電子材料還未走出實驗室。
石墨烯的掃描探針顯微鏡圖像
盡管優(yōu)先級下降,但縮小尺寸提高集成度的做法并未被徹底拋棄。在三柵極晶體管的基礎(chǔ)上,到2020年左右,“柵極全包圍”晶體管和納米線將成為現(xiàn)實。而到20年代中期,我們可能將看到一體化3D芯片的出現(xiàn),即在一整塊硅片上制作多層器件。
評論