單位性能才是硬道理 驍龍820技術解析

　　作為智能手機最重要的一環(huán)，SoC在16年發(fā)展方向逐漸從過去的“拼最高性能、最高主頻”向著單位性能比拼的方向中去。如何提升單位主頻下的運算性能、如何在超低功耗下提升性能才是未來SoC發(fā)展方向。正在巴塞羅那舉辦的16年MWC上，無論是LG G5、三星S7系列甚至即將發(fā)布的小米5，都采用了三星14nm FinFET工藝的高通驍龍820。

　　提到驍龍820的性能，我們首先就要提到此次驍龍820選用的三星14nm FinFET工藝。簡單來說更先進的工藝能夠提升單位面積下晶體管數量，提升晶體管性能，提升整體芯片性能。同時通過更先進的制程工藝也能夠達到降低漏電率降低功耗減少發(fā)熱的效果?？傮w而言更先進的制程能在相同的功耗下達到更高的性能，在相同的性能下有著更好的功耗表現。

　　在筆者印象中，Qualcomm有幾款頗具影響力的SoC產品：QSD8250、QSD8260、APQ8064、驍龍800、驍龍801、驍龍820等。其中QSD8250/8260采用自主研發(fā)Scorpion架構，驍龍800/801采用自研Krait架構，而此次驍龍820則采用最新的Kryo自研架構。

　　此次采用Kryo架構的驍龍820采用四核心設計，時鐘頻率達到2.2GHz，但有一點值得我們注意，相比于APQ8064、驍龍800、驍龍801不同，此次驍龍820采用了2*2.2GHz+2*1.5GHz的不同時鐘頻率的四顆核心設計。同時，之前驍龍800采用了4aSMP，也就是四個異步對稱式核心，每科核心均能夠單獨控制，每顆核心的頻率也不存在差異。而此次驍龍820采用兩簇核心管控2aSMP，也就是2+2的異步對稱式核心，換句話說2顆1.5GHz核心是同步同頻的，而兩顆2.2GHz也是同步同頻的，但在這兩簇核心組之間采用了異步對稱式的設計。講到這里大家可能認為驍龍820也采用了類似big.LITTLE的設計，但通過Qualcomm官方的講解其實并不是這樣，兩簇核心組僅是時鐘頻率上有所差異，但仍采用相同的Kryo架構。