海茲定律要接摩爾定律的班？

　　2015年是LED產業(yè)很低潮的一年，尤其是中上游，經歷了產能過剩，芯片與燈珠一個月一個價，跌跌不休讓芯片與燈珠的議價幾乎是一個很痛苦的過程，相信很多從事LED技術的人跟我一樣有一種不如歸去的感覺，所以我封筆一年進行無言的抗議!

　　去年的秋天，當我在日本福岡參加2015年WUPP for wide bandgap Semiconductors論壇與2014年諾貝爾物理獎得主天野浩教授交流之后，我對這個行業(yè)又燃起了一線曙光，這也是我今天在封筆一年之后給大家的一個2016新年獻禮。

　　2015年8月的WUPP會議

　　大學或研究所的時候，如果是電子或半導體科系的學生一定會修固體物理或半導體物理，我們知道IC有摩爾定律，但是由于課程的編排，在化合物半導體這部分比較少著墨，所以很少人知道在化合物半導體里面的光電領域有一個LED海茲定律。

　　先看看IC的摩爾定律：

　　集成電路芯片上所集成的電路的數(shù)目，每隔18個月就翻一倍，微處理器的性能每隔18個月提高一倍，或價格下降一半。

　　如下圖所示：這個定律在2010年20納米制程之后就有一點欲振乏力了，摩爾定律遭遇了一個嚴酷的考驗，科學家與半導體工程師都絞盡腦汁延長摩爾定律，在半導體技術上尋求突破?

　　微觀的摩爾定律

　　巨觀的摩爾定律

　　效能與速度的摩爾定律

　　關鍵時刻總是會有一個英雄來拯救，美國加州大學伯克利分校杰出講座教授胡正明教授就是半導體行業(yè)的救星，他發(fā)明了一種FinFET技術，可以將半導體制程線寬縮小到10納米到12納米的制程(柵極的線寬越窄，處理器的工作速率越快)。

　　詳細技術細節(jié)請看下圖所示，當別人絞盡腦汁利用曝光技術縮小線寬極限的時候，他首先解決晶體做薄后漏電的問題，反其道而行的向上發(fā)展，晶片內構從水平變成垂直。

　　這個技術不但延長了摩爾定律，也讓我們人類在這個電子資訊時代生活更快捷更便利。

　　FinFET技術示意圖