英國專家用半極性GaN生長高效益LED

　　英國雪菲爾大學(xué)(SheffieldUniversity)的一支研究團(tuán)隊最近在《應(yīng)用物理學(xué)快報》(AppliedPhysicsLetter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍(lán)寶石基材上生長LED的最新成果。

　　利用在M-Plane藍(lán)寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED。

　　相較于在C-Plane藍(lán)寶石基板上生長的商用LED，該研究團(tuán)隊在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發(fā)光波長的藍(lán)位移隨著驅(qū)動電流增加而減少。在藍(lán)位移所觀察到的情況也適用在黃綠與黃光LED上，因此，研究人員發(fā)現(xiàn)所生長的LED存在一種有效抑制量子而限制星炫的效應(yīng)。

　　研究人員在晶圓上測得光源輸出隨電流提升而呈線性增加，而其外部量子效率顯示較商用C-PlaneLED的效率衰減(efficiency-droop)情況已明顯改善了。電致發(fā)光偏振測量顯示半極性LED的偏振比約為25%。

　　研究人員聲稱，初步的結(jié)果顯示，過度生長技術(shù)是一種更具有潛在成本效益的方法，可在較長波長區(qū)域中實現(xiàn)高效能的半極性GaN發(fā)射器。