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Fairchild將在Tech Shanghai 研討會上介紹最新的高效電源解決方案

作者: 時間:2016-03-07 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 于今日宣布將在2016 Tech Shanghai行業(yè)技術(shù)論壇上介紹其高效解決方案。該管理及功率器件技術(shù)論壇將于3月15日在上??鐕少彆怪行呐e行。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201603/287901.htm

  Tech Shanghai管理及功率器件技術(shù)論壇詳情:

  日期:2016年3月15日

  時間:上午10:40

  主題: 高效電源解決方案

  本次主題將介紹  采用高效率高密度功率設(shè)計的分立式半導(dǎo)體解決方案,用于諸如電信、服務(wù)器、UPS、逆變器、能源存儲、EV 充電器等應(yīng)用。新解決方案是持續(xù)開發(fā)工藝和封裝技術(shù)的成果。本次演講將展示 Fairchild SuperFET? III、IGBT 和功率趨勢產(chǎn)品的工藝技術(shù)和封裝技術(shù),有助于系統(tǒng)工程人員實現(xiàn)高效率和高密度設(shè)計的目標(biāo)。

  研討會注冊連結(jié):https://www.fairchildsemi.com.cn/about/events/

  另外,Tech Shanghai 技術(shù)活動還包括有展覽會部份,F(xiàn)airchild 將于其展位展示最新的解決方案。

  Tech Shanghai展會詳情:

  日期: 2016年3月14日-16日

  展會地點: 上??鐕少彆怪行?nbsp;(上海市普陀區(qū)中江路35號)

  展位號: A06

  Fairchild最新的高性能解決方案:

  ? Grid to Wall – 智能電表, 離線建筑自動化, 離線服務(wù)器電源

  ? 100V FET 技術(shù) – 最新方案

  ? Double Pulse – FS4 IGBT + 1200V 高性能碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 二極管展示

  ? 先進(jìn)封裝技術(shù) – Motion SPM?模塊, MOSFET

  請訪問Fairchild展位,與電源技術(shù)專家進(jìn)行交流。參觀者還可得到Fairchild最新的產(chǎn)品資料及精美紀(jì)念品 (送完即止)!

  有關(guān)更多展會信息,請訪問:https://www.fairchildsemi.com.cn/about/events/



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