MRAM接班主流存儲(chǔ)器指日可待
記憶體產(chǎn)業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM)的快速、快閃記憶體的高密度以及如同唯讀記憶體(ROM)般低成本等各種優(yōu)勢(shì)的非揮發(fā)性記憶體。如今,透過(guò)磁阻隨機(jī)存取記憶體(MRAM),可望解決開(kāi)發(fā)這種“萬(wàn)能”記憶體(可取代各種記憶體)的問(wèn)題
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201603/287975.htm遺憾的是,實(shí)際讓非揮發(fā)性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承諾)的最佳化步驟,似乎總是還得再等三年之久。如今,荷蘭愛(ài)因霍芬科技大學(xué)(Eindhoven University of Technology;TU/e)的研究人員宣稱(chēng)發(fā)現(xiàn)一種可讓MRAM克服速度快、密度與成本問(wèn)題的全新制造方法,稱(chēng)為“自旋霍爾效應(yīng)與交換偏置反轉(zhuǎn)零磁場(chǎng)磁化”(field-free magnetization reversal by spin-Hall effect and exchange bias),或簡(jiǎn)稱(chēng)“彎曲電流”(current bending)。
以低電流脈沖彎曲電子,可快速切換磁位元,從而實(shí)現(xiàn)正確的自旋;同時(shí),特殊的抗鐵磁材料更降低了制造成本
“隨著磁位元的尺寸縮小,寫(xiě)入磁位元所需的電流密度已經(jīng)變得過(guò)高了,”以TU/e教授Henk Swagten為主導(dǎo)的研究人員表示,“藉由垂直連接磁化層與抗鐵磁材料,可望打造出一種沿電流方向的平面交換偏置(EB);我們證實(shí)了只需利用由此EB導(dǎo)致的原生平面磁場(chǎng),可實(shí)現(xiàn)一種自旋霍爾效應(yīng)驅(qū)動(dòng)的磁化反轉(zhuǎn)。”簡(jiǎn)這之,就是所謂的“彎曲”電流,似乎就能解決非揮發(fā)性MRAM的速度、密度與成本問(wèn)題。
如果你十分熟悉MRAM,那么你應(yīng)該知道他們?cè)陔娮酉蛏匣蛳蛳伦孕龝r(shí)儲(chǔ)存0與1,而不是經(jīng)由電流差擾穿隧阻障層來(lái)累積或耗散電荷,因而得以“自旋霍爾效應(yīng)”在本質(zhì)上實(shí)現(xiàn)最佳化的節(jié)能效果。不過(guò),這仍然需要以電子鐵磁材料執(zhí)行自旋編碼,才能翻轉(zhuǎn)磁位元。因此,Swagten的研究團(tuán)隊(duì)使用微量的電流脈沖,翻轉(zhuǎn)每一磁位元使其自旋——即“彎曲電流”,使其不僅更具能效,還能夠像摩爾定律(Moore's Law)般地?cái)U(kuò)展。
研究人員用于為MRAM表征快速、高密度與低成本特性的實(shí)驗(yàn)晶片
根據(jù)研究團(tuán)隊(duì)表示,這項(xiàng)技術(shù)本身也十分快速,但仍然必須在成本方面實(shí)現(xiàn)最佳化。研究人員們宣稱(chēng),在位元單元頂部采用低成本的抗鐵磁料封蓋,有效地“凍結(jié)”其磁場(chǎng),可望解決最后一項(xiàng)問(wèn)題,達(dá)到快速、高密度與低成本的目標(biāo)。
評(píng)論