針對高性能計算7納米 FinFET工藝,ARM與臺積電簽訂長期戰(zhàn)略合作協(xié)議
ARM和臺積電宣布簽訂針對7納米 FinFET工藝技術(shù)的長期戰(zhàn)略合作協(xié)議,涵蓋了未來低功耗,高性能計算SoC的設(shè)計方案。該合作協(xié)議進一步擴展了雙方的長期合作關(guān)系,并將領(lǐng)先的工藝技術(shù)從移動手機延伸至下一代網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心。此外,該協(xié)議還拓展了此前基于ARM? Artisan? 基礎(chǔ)物理IP 的16納米和10納米 FinFET工藝技術(shù)合作。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201603/288395.htmARM全球執(zhí)行副總裁兼產(chǎn)品事業(yè)群總裁 Pete Hutton表示:“現(xiàn)有基于ARM的平臺已展現(xiàn)提升高達10倍運算密度的能力,用以支持特定數(shù)據(jù)中心的工作負載。未來的ARM技術(shù)將適用于數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施,并針對臺積電7納米 FinFET進行優(yōu)化,從而幫助我們共同的客戶將行業(yè)最低功耗的架構(gòu)應(yīng)用于不同性能要求的領(lǐng)域?!?/p>
臺積電研究發(fā)展副總經(jīng)理侯永清表示:“臺積電不斷投資先進的工藝技術(shù),致力于幫助我們的客戶取得成功。憑借7納米 FinFET,我們的工藝和生態(tài)系統(tǒng)解決方案已從移動手機拓展至高性能計算。得益于臺積電行業(yè)領(lǐng)先的7納米 FinFET工藝,客戶在設(shè)計下一代高性能計算芯片時,相比10納米 FinFET工藝節(jié)點,能在相同功耗獲得更好性能表現(xiàn),或者在相同性能表現(xiàn)的情況下,實現(xiàn)更低功耗。聯(lián)合優(yōu)化的ARM和臺積電的解決方案有助于我們客戶推出顛覆性產(chǎn)品,并率先面向市場?!?/p>
最新的合作協(xié)議基于ARM和臺積電此前在16納米 FinFET和10納米 FinFET工藝上取得的成功。臺積電和ARM此前合作所取得的聯(lián)合創(chuàng)新,使客戶得以從最前沿的工藝技術(shù)和IP中獲益,以加快產(chǎn)品研發(fā)周期。例如,盡早獲取Artisan物理IP、以及試產(chǎn)16納米 FinFET 和 10納米 FinFET的ARM Cortex?-A72處理器。
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