武漢新芯12寸DRAM廠 28日動工

　　大陸記憶體業(yè)新秀武漢新芯廿八日將舉行旗下首座十二寸DRAM廠建廠動工儀式。武漢新芯挾官方資金與國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金(大基金)支持，向全球宣示大陸建立自主記憶體技術(shù)與制造的決心。

　　這是繼紫光集團進軍記憶體領(lǐng)域、醞釀收購多家國際大廠之后，大陸于記憶體領(lǐng)域又一次大動作布局。武漢新芯此十二寸DRAM廠建廠，是大陸首度憑藉自有資金的記憶體晶片建廠案，牽動全球記憶體板塊移動，業(yè)界高度關(guān)注 。

　　業(yè)界人士指出，先前大陸業(yè)者進軍LED、面板、觸控等產(chǎn)業(yè)，挾官方資源撐腰下，大舉擴產(chǎn)，使得這些產(chǎn)業(yè)都陷入殺價競爭、供過于求的窘境。

　　武漢新芯進軍DRAM產(chǎn)業(yè)，大舉建廠，加上紫光和合肥市政府后續(xù)也都有意在大陸蓋DRAM廠，反映大陸力攻記憶體的旺盛企圖心，是否會讓DRAM產(chǎn)業(yè)重蹈LED、面板、觸控的覆轍， 使市場陷入紅海，乃至威脅南亞科、華邦等臺灣廠商，都不容小覷。

　　據(jù)悉，武漢新芯稍早也曾爭取與三星、SK海力士及美光等大廠技術(shù)合作，但未獲三大廠同意，武漢新芯因而改采自主研發(fā)與蓋廠方式進行。

　　DRAM 專業(yè)研調(diào)機構(gòu)集邦科技表示，武漢新芯成立于二○○六年，是湖北省與武漢市的重大戰(zhàn)略投資項目，先前曾與大陸晶圓代工龍頭中芯國際一起營運中芯旗下的一座十 二寸廠。隨著中芯二○一三年退出合作，武漢新芯獨立為單一公司，由武漢市政府負(fù)責(zé)，經(jīng)營團隊多具備國際半導(dǎo)體公司歷練背景

　　集邦匯整的資料顯示，武漢新芯仍持續(xù)主導(dǎo)從中芯手中接下的十二寸廠生產(chǎn)，目前主要品以編碼型快閃記憶體(NOR Flash)為主，并進軍3D NAND晶片技術(shù)研發(fā)，未來將打造至少二座以上十二寸晶圓廠的中國大陸記憶體晶片制造基地。

　　武漢新芯后來并獲得大陸國家大基金支持，將籌資二百四十億美元(約新臺幣七千八百億元)，長期建立月產(chǎn)能高達卅萬片的十二寸廠，生產(chǎn)DRAM、NAND Flash等關(guān)鍵記憶體產(chǎn)品。