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中國NAND快閃存儲器產(chǎn)業(yè)邁入新紀(jì)元

作者: 時間:2016-03-31 來源:engadget 收藏

  TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示,中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進(jìn)行建廠工程,目標(biāo)最快在2018年年初開始生記憶體晶片,初期規(guī)劃將以目前最先進(jìn)的3D- Flash為主要策略產(chǎn)品,代表了近兩年來中國極力發(fā)展記憶體產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢下,將開始進(jìn)入新的里程碑。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201603/289046.htm

  DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得指出,現(xiàn)階段武漢新芯主要以生產(chǎn)NOR Flash為主,月產(chǎn)能約為2萬片左右,在 Flash產(chǎn)業(yè)也展現(xiàn)強(qiáng)大的企圖心。不同于國際 Flash大廠,武漢新芯選擇與飛索半導(dǎo)體(Spansion)共同合作開發(fā)3D-NAND Flash技術(shù),并在去年完成初期晶片電氣測試后,持續(xù)往更高的堆疊數(shù)邁進(jìn),目標(biāo)2017年底或2018年初推出3D-NAND Flash的產(chǎn)品,切入高成長性的快閃記憶體產(chǎn)業(yè),也透過盡早導(dǎo)入新技術(shù)的方式,縮短與現(xiàn)今國際NAND Flash大廠的差距。

  武漢新芯規(guī)劃的新廠產(chǎn)能為長期20萬片,產(chǎn)能的提升必需要伴隨未來技術(shù)開發(fā)的成熟,生產(chǎn)的穩(wěn)定;楊文得表示,20萬片為長期的最終計劃,非短期能達(dá)成,比較明顯的產(chǎn)出提升應(yīng)該在5~10年之后。英特爾(Intel)大連廠自今年第四季加入生產(chǎn)行列的帶動下,來自中國生產(chǎn)的NAND Flash晶圓將占全球的8%,2017年第三季前可超過10%,顯示中國發(fā)展NAND Flash產(chǎn)業(yè)的積極度也讓國際大廠加速布局角度。

  目前NAND Flash產(chǎn)業(yè)除三星量產(chǎn)3D-NAND Flash,且已在各大PC-OEMs業(yè)者中獲得不錯的市占率,第三代3D-NAND Flash也將完成產(chǎn)品測試階段,可望在2016下半年隨著新款筆記本電腦鋪貨的需求而開始量產(chǎn)。

  其他NAND Flash業(yè)者也陸續(xù)加速3D-NAND Flash的開發(fā),自今年下半年將可開始導(dǎo)入相關(guān)固態(tài)硬碟的需求應(yīng)用而出貨。DRAMeXchange預(yù)估2016年整體NAND Flash產(chǎn)業(yè)的3D-NAND Flash產(chǎn)出比重將可快速攀升至20%,較去年的6%有顯著成長,將可讓相關(guān)固態(tài)硬碟的普及與滲透率成長更加快速。

  

 

  國際NAND大廠比較



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