三星DRAM連霸24年 2015年市占寫下45%新高
三星電子(Samsung Electronics)連續(xù)24年蟬聯(lián)全球DRAM存儲器半導(dǎo)體市占率第一,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫下新歷史;2015年市占率達45.3%,營收突破200億美元,不但刷新自身紀錄,也成為存儲器價格持續(xù)下跌聲中,唯一還能獲利的業(yè)者。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201604/289568.htm據(jù)韓媒Money Today報導(dǎo),市調(diào)機構(gòu)IHS資料顯示,2015年三星DRAM營收為204.34億美元,較2014年186.61億美元成長9.5%,首次突破200億美元。雖然全球DRAM市場規(guī)模由462.46億美元萎縮至450.93億美元,但三星營收卻逆勢成長。
從整年度的市占率來看,三星占45.3%創(chuàng)下歷史新高;排名第二的SK海力士(SK Hynix)為27.7%,營收124.89億美元,較2014年126.66億美元減少,但市占率微幅增加。第三名美光(Micron)的營收滑落到90.70億美元,市占率也從24.6%下降到20%。
三星電子在1992年開發(fā)出64Mb DRAM之后,連續(xù)24年蟬聯(lián)DRAM半導(dǎo)體全球市占率第一。三星能穩(wěn)坐龍頭地位的關(guān)鍵,在于擁有競爭對手難以超越的技術(shù)差距,這也是半導(dǎo)體市場價格持續(xù)滑落,三星仍能維持獲利的原因。
三星致力于突破微細制程的瓶頸,率先進入10納米級DRAM量產(chǎn),欲以領(lǐng)先的技術(shù)競爭力掌握市場。繼成功開發(fā)18納米DRAM之后,下一個目標是開發(fā)10納米前段(1z)的DRAM技術(shù)。
業(yè)界人士表示,2015年三星采用20納米微細制程,成功銷售許多高附加價值產(chǎn)品。由于能生產(chǎn)競爭者做不到的高性能產(chǎn)品,即便市場情況不佳,這類產(chǎn)品仍能維持一定價格,受影響程度相對較小。
與DRAM同屬存儲器半導(dǎo)體的NAND Flash市場情況類似。三星借由高速、低耗電的垂直構(gòu)造V NAND技術(shù),成為2015年第4季唯一NAND Flash營業(yè)額逆勢成長的業(yè)者。
相較于競爭者才剛進入21納米量產(chǎn),準備提高21納米量產(chǎn)比重,主力產(chǎn)品仍停留在25~30納米階段,日前三星證實已啟動18納米8Gb DDR4 DRAM量產(chǎn)。因此業(yè)界認為,三星與對手的技術(shù)差距已經(jīng)拉開至2年以上,在市場上一枝獨秀的情況可望延續(xù)至2016年。
三星計劃在2016年要將10納米級技術(shù)用于大部分DRAM產(chǎn)品,并且加速研發(fā)10納米中段(1y)與10納米前段(1z)的新一代DRAM技術(shù)。半導(dǎo)體事業(yè)負責(zé)人金奇南表示,有信心成功開發(fā)10納米前段的DRAM技術(shù)。
三星在半導(dǎo)體市場占有的優(yōu)勢,對南韓的經(jīng)濟發(fā)展也有很大貢獻。2015年南韓半導(dǎo)體的出口規(guī)模為629.16億美元,占整體出口(5,267.57億美元)比重的11.9%。
雖然南韓的整體出口規(guī)模萎縮,但半導(dǎo)體類別不減反增,寫下出口規(guī)模新高,是也2001年之后,存儲器類別占整體出口比重最高的一次。
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