傳三星邀協(xié)力廠研發(fā)EMI遮蔽制程 意在瞄準(zhǔn)蘋果NAND訂單

　　傳聞三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體暨裝置解決方案事業(yè)部(DS)正與多家業(yè)者共同進(jìn)行EMI遮蔽制程研發(fā)，有意重啟對蘋果(Apple)供應(yīng)NAND Flash存儲器，過去4年來三星電子與蘋果的NAND Flash交易中斷。

　　據(jù)韓媒ET News報(bào)導(dǎo)，日前業(yè)界表示，三星電子正與PROTEC、諾信(Nordon Asymtek)、韓松化學(xué)(Hansol Chemical)、Ntrium等多家點(diǎn)膠機(jī)(Dispense)業(yè)者，共同研發(fā)以噴涂(Spray)方式進(jìn)行EMI遮蔽制程。

　　其中，PROTEC與諾信負(fù)責(zé)研發(fā)設(shè)備;韓松化學(xué)與Ntrium負(fù)責(zé)研發(fā)液態(tài)遮蔽材料。研發(fā)完成后，三星電子就可在NAND Flash封裝覆蓋一層EMI遮蔽膜，并且對蘋果iPhone供貨。三星電子計(jì)劃在2017年達(dá)成這項(xiàng)目標(biāo)。

　　蘋果從2012年9月推出的iPhone 5開始，要求用于iPhone的NAND Flash封裝，必須要有防電磁波干擾(Electro Magnetic Interference;EMI)遮蔽技術(shù)。由于三星電子無法滿足蘋果的規(guī)格要求，之后蘋果便未采用三星電子生產(chǎn)的NAND Flash存儲器。

　　半導(dǎo)體芯片EMI遮蔽是指，在封裝表面覆蓋一層超薄金屬材質(zhì)的制程。現(xiàn)行采用的方式是以濺鍍機(jī)(Sputter)，利用電漿(Plasma)將超薄金屬遮蔽材料均勻的蒸鍍在表面。

　　目前搭載于iPhone的NAND Flash封裝是采LGA(Land Grid Array)。LGA是封裝的底部有針腳的形式，因裝配到印刷電路板(PCB)時(shí)，針腳與電路板的插孔緊密貼合，因此在EMI遮蔽制程只需在上半部進(jìn)行。

　　三星電子認(rèn)為，BGA(Ball Grid Array)形式封裝的底部呈現(xiàn)球狀(Ball)，若以濺鍍方式進(jìn)行EMI遮蔽，會產(chǎn)生許多空隙，不容易完整包覆。以噴涂(Spray)制程進(jìn)行EMI遮蔽，能順利將BGA的球狀部分完整覆蓋。

　　噴涂設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)是比濺鍍機(jī)便宜。一組濺鍍機(jī)的設(shè)備若要50億韓元(約438.20萬美元)，噴涂設(shè)備只需7~8億韓元即可購得。不僅如此，用于噴涂的材料價(jià)格也較便宜，可節(jié)省制程費(fèi)用。業(yè)界認(rèn)為，就體積與重量而言，BGA也比LGA來得有利。

　　三星電子打算重新對蘋果供應(yīng)NAND Flash，主要是因?yàn)樽罱鎯ζ魇袌鲩_始出現(xiàn)供給過剩的現(xiàn)象。若2017年三星電子平澤新廠也投入3D NAND Flash量產(chǎn)，整個(gè)NAND Flash市場就可能發(fā)生供過于求的問題，因此三星電子必須趕緊開辟新訂單。

　　SK海力士(SK Hynix)將供應(yīng)蘋果iPhone用的NAND Flash芯片封裝委托給日月光進(jìn)行。據(jù)了解，目前也和三星電子研發(fā)將同的EMI遮蔽解決方案。

　　采用EMI遮蔽技術(shù)能減少電磁波干擾，降低電子產(chǎn)品出錯的機(jī)率，電路板也可設(shè)計(jì)的更精密，芯片間的距離也可縮短。如此一來，機(jī)體內(nèi)部騰出的多余空間可用于擴(kuò)充電池容量，延長機(jī)器使用時(shí)間。

　　蘋果從iPhone 5開始在內(nèi)建無線電頻率(Radio Frequency;RF)芯片與高時(shí)頻控制器的NAND Flash封裝上采用EMI遮蔽技術(shù)。在2016年上市的iPhone 7內(nèi)，更將EMI遮蔽技術(shù)擴(kuò)大應(yīng)用到內(nèi)部大部分的芯片上。