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三星揭露晶圓代工技術(shù)藍圖

作者: 時間:2016-04-26 來源:eettaiwan 收藏

  半導(dǎo)體(Samsung Semiconductor Inc. ,SSI)的高層透露了該公司代工廠技術(shù)藍圖細節(jié),包括將擴展其FD-SOI產(chǎn)能,以及提供現(xiàn)有FinFET制程的低成本替代方案。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201604/290230.htm

  而 其中最受矚目的就是將開發(fā)低成本14奈米FinFET制程(14奈米LPC),該公司已經(jīng)出貨了超過50萬片的14奈米制程,并將該制程的應(yīng)用擴 展到網(wǎng)路/伺服器以及汽車等領(lǐng)域,但代工業(yè)務(wù)行銷資深總監(jiān)Kelvin Low表示,他預(yù)期下一代應(yīng)用將可擴展至需求較低成本的項目。

  “總是會有一些關(guān)于成本與性能權(quán)衡的疑慮,”Low接受EE Times美國版編輯訪問時表示:“LPC與LPP (14奈米)有同樣的PDK,而制程步驟已經(jīng)減少…這讓我們能達到較低的制造成本,而且我們決定將之與我們的客戶分享。”

  三 星也將在今年提供14 LPC的RF附加技術(shù);Low并未說明那些制程步驟被減少,也未提及14奈米LPP (即Low-Power Plus,為三星第二代14奈米FinFET制程技術(shù))與LPC之間的成本差異到底有多少,僅表示較低成本的制程技術(shù)選項將能在今年某個時間提供。

  Low 補充指出,三星將發(fā)表10奈米LPP制程技術(shù),在性能上會比第一代的10奈米LPE (Low-Power Early)制程提升10%;而雖然三星的晶圓代工事業(yè)部門已經(jīng)開始研發(fā)7奈米LPP節(jié)點,并號稱在功耗、性能與面積(PPA)的微縮上具競爭力,但 Low表示在10奈米節(jié)點與7奈米節(jié)點之間會有一些模糊地帶。

  “我們認為10奈米節(jié)點的壽命會比其他晶圓代工廠所聲稱的更長,而我們認為7奈米節(jié)點必須要以大量生產(chǎn)為目標(biāo)進行定義與最佳化,不只是鎖定高利潤的產(chǎn)品;”Low表示:“EUV微影技術(shù)會是讓7奈米節(jié)點技術(shù)達到可負擔(dān)之成本的重要關(guān)鍵。”

  據(jù)了解,三星最近已經(jīng)向一組客戶簡報其EUV技術(shù)現(xiàn)況,但細節(jié)不便對媒體透露;Low表示,該公司已經(jīng)有一些樣本產(chǎn)出,但還不到可以宣布7奈米制程EUV技術(shù)可行的地步。

  在 現(xiàn)有技術(shù)方面,三星正在提升8寸晶圓技術(shù)的產(chǎn)能,從180奈米到65奈米節(jié)點;8寸晶圓技術(shù)將涵蓋嵌入式快閃記憶體(eFlash)、功率元件、影像感測 器,以及高電壓制程的生產(chǎn)。“我們持續(xù)收到客戶對8寸晶圓技術(shù)產(chǎn)能的需求,”Low表示:“我想目前在某些特定區(qū)域仍供不應(yīng)求,而且相關(guān)需求越來越顯 著。”

  三星也將在現(xiàn)有的28奈米FD-SOI基礎(chǔ)上,于2017、2018年添加RF與嵌入式非揮發(fā)性記憶體(NVM)技術(shù);該公司將更 聚焦于先進制程技術(shù),而非出貨量已經(jīng)下滑的智慧型手機相關(guān)技術(shù)。Low表示:“重要的是有很多新應(yīng)用出現(xiàn),都是非常令人興奮的東西;”他指出,如汽車應(yīng)用 市場對該公司就是不少可期待的商機。

  為了克服先進制程節(jié)點的挑戰(zhàn),Low表示三星正積極與客戶進行更深一層、更早期的合作;該公司也會對客戶開放其設(shè)計流程以及設(shè)計方法,以加速產(chǎn)品設(shè)計時程。



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