誰(shuí)能打破DRAM存儲(chǔ)器的三足鼎立格局？

　　本月，三星電子宣布實(shí)現(xiàn)10nm級(jí)別工藝DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的量產(chǎn)，再次拉大與“三國(guó)殺”剩下兩個(gè)玩家——SK海力士和美光的差距。“簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)，目前SK海力士與美光的工藝差距分別已經(jīng)相差一年及二年了?！奔羁萍糄RAM首席分析師郭祚榮告訴記者。

　　這也許會(huì)帶來(lái)相應(yīng)市場(chǎng)格局的變化。三星一直維持著對(duì)于另兩大DRAM廠商在市場(chǎng)份額和技術(shù)水平的雙重領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。此次Bernstein Research甚至悲觀預(yù)測(cè)，三星下手太狠，想把DRAM市占率提高至近50%，未來(lái)三星可能是DRAM產(chǎn)業(yè)的唯一幸存者。

　　三星早已成為DRAM行業(yè)的領(lǐng)頭羊

　　DRAM價(jià)格下跌三星獲利

　　近兩年來(lái)，由于需求不振，DRAM市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)走低。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)IHS的數(shù)據(jù)，2015年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模由462.46億美元萎縮至450.93億美元。

　　郭祚榮預(yù)測(cè)，2016年DRAM市場(chǎng)的供過(guò)于求預(yù)估為5.7%，DRAM的價(jià)格預(yù)估仍然會(huì)一路下跌。此前，南亞科總經(jīng)理李培瑛曾估計(jì)，如果主要廠商仍然有明顯擴(kuò)產(chǎn)，那么今年DRAM價(jià)格將跌25%~40%。

　　這是因?yàn)樾碌男枨笤鲩L(zhǎng)缺失，而隨著工藝的進(jìn)步產(chǎn)出卻必然擴(kuò)大。Gartner研究總監(jiān)盛陵海向《中國(guó)電子報(bào)》記者指出，目前大量需求DRAM的新應(yīng)用比如VR、AI等，在三年內(nèi)仍然不會(huì)形成可以與PC、智能手機(jī)相提并論的市場(chǎng)。

　　在DRAM價(jià)格的持續(xù)下跌聲中，三星DRAM業(yè)務(wù)在2015年的營(yíng)收卻仍然實(shí)現(xiàn)同比增長(zhǎng)9.5%，首次突破200億美元大關(guān)。其市占率也在不斷提升，達(dá)到了45.3%。

　　這緣于三星遠(yuǎn)高于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的制程工藝所帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)。工藝好，成本就會(huì)低。只要工藝的提升速度快過(guò)跌價(jià)，還是可以賺錢(qián)，反之就是虧錢(qián)。

　　目前，三星在制程工藝上已經(jīng)領(lǐng)跑不止一個(gè)身位了。據(jù)記者了解，三星DDR4記憶體早在2015年進(jìn)入20奈米制程的成熟期，70%的產(chǎn)能已經(jīng)升級(jí)到20nm工藝節(jié)點(diǎn)。近期，三星又宣布10nm級(jí)別工藝的DRAM量產(chǎn)，同類(lèi)型產(chǎn)品比20nm工藝性能提升30%，同等頻率下功耗降低10~20%。

　　記者了解到，三星的10nm級(jí)別工藝指的正是18nm工藝，是20nm工藝的微縮，僅是小改版，而其真正的13nm工藝將于明年推出。外媒報(bào)道稱(chēng)蘋(píng)果很可能成為三星18nm DRAM的訂單擁有者之一。

　　相比較而言，SK海力士的主力工藝制程是25nm，在去年第四季度正式導(dǎo)入21nm制程，目前正在積極轉(zhuǎn)進(jìn)21nm，并將于明年推出18nm工藝DRAM。美光的主力工藝制程是30nm和25nm，雖然也在去年第四季度大幅轉(zhuǎn)進(jìn)20nm制程，但量產(chǎn)不代表投片多，也不代表良率好，因此美光目前仍在20nm制程節(jié)點(diǎn)努力。

　　由于工藝制程的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，郭祚榮向《中國(guó)電子報(bào)》記者指出，三星生產(chǎn)DRAM的成本可以比其他兩家低20%~30%，而且目前來(lái)看趨勢(shì)不容易扭轉(zhuǎn)。而美光的成本最高，大概比SK海力士要高出10%~15%。

　　海力士、美光與三星的工藝差距分別已經(jīng)相差一年及二年，成本差距也巨大，這奠定了三星在DRAM市場(chǎng)中一霸的地位。