新聞中心

EEPW首頁 > 模擬技術(shù) > 新品快遞 > 意法半導(dǎo)體(ST)推出新一代智能功率模塊,可進(jìn)一步減少低功率電機(jī)的耗散功率

意法半導(dǎo)體(ST)推出新一代智能功率模塊,可進(jìn)一步減少低功率電機(jī)的耗散功率

作者: 時(shí)間:2016-05-10 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商(STMicroelectronics,簡稱ST)進(jìn)一步擴(kuò)大智能功率模塊產(chǎn)品陣容,推出SLLIMMTM–nano新一代產(chǎn)品,新增更高功率和封裝選擇,特別適用于對(duì)提高能效和降低成本有需求的應(yīng)用。新一代產(chǎn)品可滿足冰箱、洗衣機(jī)等家電的壓縮機(jī)、風(fēng)扇和電泵的電源要求,還適用于驅(qū)動(dòng)200W以下電器的硬開關(guān)電路且工作頻率低于20 kHz的低功耗電機(jī)。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201605/290915.htm

  模塊集成三個(gè)半橋高壓柵驅(qū)動(dòng)器、六個(gè)IGBT晶體管和六個(gè)快速超軟恢復(fù)續(xù)流二極管(ultra-soft freewheeling recovery diode),以及在低功耗微控制器與低功耗電網(wǎng)供電三相電機(jī)之間實(shí)現(xiàn)完整接口的低壓輸入邏輯器件。針對(duì)低功耗BLDC無刷DC直流電機(jī)的特點(diǎn),優(yōu)化了模塊內(nèi)部IGBT管(一個(gè)3A的平面技術(shù)晶體管和一個(gè)5A的溝柵式場截止 (Trench-gate Field Stop,TFS)晶體管)和續(xù)流二極管的設(shè)計(jì),取得了最佳的開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗比,提高了電機(jī)的能效,降低了電磁干擾。

  二代產(chǎn)品的主要特性:

  在25°C時(shí),3A-5A額定電流,600V擊穿電壓;

  受益于TFS技術(shù),VCE(sat) 電壓更低,即使在5A時(shí),VCE(sat)僅為1.65V;

  低EMI干擾;

  黏著式插槽,散熱器安裝更容易,成本更低;

  內(nèi)部集成自舉二極管,節(jié)省組件成本,簡化印刷電路板布局;

  150°C最高工作結(jié)溫;

  集成運(yùn)放和比較器,用于保護(hù)電路;

  獨(dú)立式開射極輸出,為單路和三路分流器解決方案簡化電路板走線;

  負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻(NTC,Negative Temperature Coefficient)溫度監(jiān)控;

  智能關(guān)機(jī)功能;

  可選插入式Z型引腳封裝,有/無stand-off引腳,以最大限度提高印刷電路板布局的靈活性;

  1500 Vrms 最低隔離電壓

  意法半導(dǎo)體的新一代SLLIMM-nano 首批產(chǎn)品已經(jīng)上市,采用N2DIP-26L 封裝,有多種針腳可選。



關(guān)鍵詞: 意法半導(dǎo)體 SLLIMM-nano

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉