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李克強總理視察武漢新芯:芯片的研發(fā)與企業(yè)的管理最難也最重要

作者: 時間:2016-05-25 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  5月23日,李克強總理視察武漢,參觀了公司的晶圓廠,并和武漢的管理和研發(fā)團隊親切交談。他說,在集成電路領(lǐng)域,管理和研發(fā)這兩塊最難也最重要,希望武漢摸索出好的管理經(jīng)驗,制造出高性能、高質(zhì)量的自主可控的。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201605/291673.htm

  下午6:40分左右,李克強總理到達武漢新芯,并在董事長王繼增和執(zhí)行長楊士寧博士的陪同下,直接前往晶圓廠參觀。

  楊士寧博士向總理匯報了武漢新芯的技術(shù)研發(fā)和業(yè)務(wù)布局情況。他介紹,武漢新芯現(xiàn)有業(yè)務(wù)布局物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域。目前,公司45nmNORFlash(代碼型閃存)生產(chǎn)技術(shù)水平世界領(lǐng)先,BSI圖像傳感器生產(chǎn)技術(shù)水平位居世界三強。公司獨特的三維集成技術(shù)可以使閃存、微控制單元、傳感器等進行靈活搭配,以適應(yīng)和滿足龐大的物聯(lián)網(wǎng)市場的各種需求。此外,武漢新芯正在布局包含三維閃存在內(nèi)的大存儲器領(lǐng)域。由于在二維層面上,摩爾定律已接近尾聲,技術(shù)正在由二維向三維轉(zhuǎn)型,選擇三維閃存,有助于我們實現(xiàn)“彎道超車”。武漢新芯計劃在三維閃存領(lǐng)域直接跨入世界第一梯隊,借此技術(shù)切入高端存儲器制造領(lǐng)域。此外,楊士寧博士還說,選擇三維閃存不僅是出于技術(shù)方面的考量,也是經(jīng)濟效益的需求。

  聽完公司技術(shù)和整體情況介紹后,李克強總理隨即和武漢新芯的技術(shù)研發(fā)和管理團隊見面,同他們一一握手。楊士寧博士介紹團隊成員來自美國、臺灣、新加坡等世界各地,總理點頭表示贊許。他特別強調(diào)了高級管理人才的稀缺性和重要性,并寄言管理團隊,希望他們把自己的所學(xué)和從前好的經(jīng)驗以及先進的管理辦法應(yīng)用到實際當(dāng)中,花大力氣在技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)管理上。

  最后李克強總理表示,存儲器是最大宗的集成電路產(chǎn)品,是戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性、先導(dǎo)性的產(chǎn)業(yè),研發(fā)和管理工作非常重要。他希望武漢新芯可以匯聚全球資源,研制出高性能、高質(zhì)量的存儲器芯片,讓國人安心、放心地使用,并以此改善芯片大量依賴進口的現(xiàn)狀,甚至可以走出國門,在世界上占有一席之地。



關(guān)鍵詞: 新芯 芯片

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