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中國半導(dǎo)體成效驚人 包攬近兩年過半全球新增產(chǎn)能

作者: 時間:2016-06-14 來源:科技新報 收藏

  中國砸銀彈扶植進度、成效驚人,國際設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(Semiconductor Equipment and Materials International,SEMI)上周五發(fā)布最新報告指出,今明兩年全球新增的產(chǎn)能,預(yù)估有超過一半都將來自中國。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201606/292583.htm

  據(jù)SEMI表示,全球2016-2017年共將興建17座半導(dǎo)體廠,當(dāng)中有10座設(shè)在中國,其中兩座生產(chǎn)存儲器、晶圓代工四座、剩余四座規(guī)模較小,主要生產(chǎn)類比式芯片、微機電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical Systems)與LED等。對照日、韓同期間僅新增一座存儲器產(chǎn)線。

  全球半導(dǎo)體投資不分海內(nèi)外均向中國集中,這是中國傾國家之力發(fā)展半導(dǎo)體所創(chuàng)造的結(jié)果。中芯國際(SMIC)、武漢新芯(XMC Limited)目前都在蓋新廠,英特爾與臺積電在大陸也有大規(guī)模投資計劃正在進行。

  據(jù)統(tǒng)計,今年全球半導(dǎo)體產(chǎn)能投資金額上看360億美元,較去年成長1.5%,明年更將成長13%至407億美元,其中多數(shù)將用于投資3D 快閃存儲器與10 納米晶圓廠。



關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體 NAND

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