主要半導(dǎo)體廠商赴陸設(shè)廠　韓國(guó)唯恐技術(shù)外流

　　陸續(xù)傳出全球代表性半導(dǎo)體業(yè)者決定前往大陸設(shè)立生產(chǎn)基地，盡管有技術(shù)外流的風(fēng)險(xiǎn)，但面對(duì)全球最大 的消費(fèi)市場(chǎng)招手，業(yè)者仍決定冒險(xiǎn)一試。由于每年大陸的半導(dǎo)體進(jìn)口規(guī)模比進(jìn)口石油還高，讓大陸政府欲積極發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)以提高自給率。如今領(lǐng)導(dǎo)業(yè)者的建廠計(jì) 劃無(wú)疑是提升大陸自給率的最佳時(shí)機(jī)，長(zhǎng)期而言還有機(jī)會(huì)取得技術(shù)。

　　據(jù)韓媒ET News報(bào)導(dǎo)，日前排名第二的IC制造業(yè)者格羅方德(GlobalFoundries)決定與重慶市政府合作，在當(dāng)?shù)嘏d建12吋(300mm)晶圓廠。重 慶市政府提供土地與建物，格羅方德負(fù)責(zé)設(shè)備與技術(shù)部分，但雙方的持分比例與投資金額等資訊并未公布。預(yù)計(jì)2017年起投產(chǎn)130~40納米邏輯、模擬、混 合信號(hào)芯片等。

　　業(yè)界認(rèn)為，該工廠初期量產(chǎn)規(guī)模以每月投入晶圓為基準(zhǔn)約1.5萬(wàn)片。格羅方德則計(jì)劃將新加坡Fab 7工廠使用的技術(shù)移轉(zhuǎn)到即將新建的大陸重慶工廠。

　　先 前臺(tái)積電也曾發(fā)表到南京的建廠計(jì)劃，規(guī)劃興建12吋晶圓廠，投產(chǎn)時(shí)間定在2018年，生產(chǎn)16納米FinFET芯片。從臺(tái)積電最新的技術(shù)地圖 (Roadmap)來(lái)看，2018年最新制程應(yīng)為10納米或7納米技術(shù)，因此用于南京工廠的技術(shù)約落后兩個(gè)世代左右，原因應(yīng)是考慮技術(shù)外流問(wèn)題。

　　如今格羅方德也決定在重慶建廠，并采用130~40納米，而非最先進(jìn)的10納米級(jí)FinFET制程，業(yè)界認(rèn)為應(yīng)也是考慮技術(shù)可能外流所做的決定。

　　在存儲(chǔ)器領(lǐng)域，兩大韓廠早已在大陸工廠使用最新技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。三星電子(Samsung Electronics)在西安工廠生產(chǎn)3D NAND Flash存儲(chǔ)器，SK海力士(SK Hynix)在無(wú)錫工廠也幾乎與韓國(guó)利川工廠同步，使用相同的先進(jìn)制程量產(chǎn)DRAM。

　　全球最大的半導(dǎo)體業(yè)者英特爾(Intel)同樣也前進(jìn)大陸，2015年宣布要將位于大連的系統(tǒng)半導(dǎo)體廠房轉(zhuǎn)換為存儲(chǔ)器生產(chǎn)工廠，計(jì)劃投資約6.2兆韓元(約52.28億美元)，目標(biāo)在2016年下半投產(chǎn)3D NAND Flash存儲(chǔ)器。

　　力晶科技則決定與合肥市政府合資興建12吋晶圓半導(dǎo)體廠，合作方式為合肥市政府負(fù)責(zé)出資，力晶提供技術(shù)。如此一來(lái)，形同將生產(chǎn)技術(shù)全面交給大陸。

　　韓國(guó)業(yè)界認(rèn)為力晶的技術(shù)約落后韓廠4~5年左右，但若有大陸政府的雄厚資金挹注，也將產(chǎn)生極大威脅。若韓廠研發(fā)更先進(jìn)的DRAM制程稍微放慢腳步或遭遇瓶頸，未來(lái)很快就會(huì)被大陸追上。

　　業(yè)界認(rèn)為，三星、SK海力士、臺(tái)積電、英特爾等半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)業(yè)者在大陸的建廠計(jì)劃并非合資型態(tài)，技術(shù)流出的風(fēng)險(xiǎn)較低。但格羅方德與力晶以提供技術(shù)的方式與大陸合作，將間接扶植大陸的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力，為大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起助一臂之力。

　　但也有另一派業(yè)界人士認(rèn)為，存儲(chǔ)器領(lǐng)域并非兒戲，許多有意前進(jìn)大陸發(fā)展的美國(guó)、日本、德國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者鎩羽而歸，目前大陸政府的出資來(lái)自地方，投資不如由中央政府主導(dǎo)的集中，或許反而能成為韓國(guó)業(yè)者成長(zhǎng)茁壯的機(jī)會(huì)。