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三星否認(rèn)擴(kuò)產(chǎn)3D NAND?外資:三星明年3D產(chǎn)能將擴(kuò)充至37.5%

作者: 時(shí)間:2016-06-17 來源:集微網(wǎng) 收藏

  據(jù)韓國時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo),電子于15日宣稱“2017年底前斥資25兆韓元擴(kuò)充3D 型快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)能”的投資內(nèi)容尚未敲定,但有分析師似乎認(rèn)為韓媒的報(bào)導(dǎo)內(nèi)容相當(dāng)可信。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201606/292729.htm

  barron`s.com16日?qǐng)?bào)導(dǎo),JP摩根發(fā)表研究報(bào)告指出,應(yīng)該會(huì)在今年底將3D 的月產(chǎn)能拉高至接近16萬片晶圓 (西安廠12萬片、Line 16廠接近4萬片)。的西安廠目前已接近產(chǎn)能全開,且該公司還計(jì)劃把Line 16廠的部分2D 產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為3D。

  另外,三星也將善用Line 17廠在二樓的空間,于明年投產(chǎn)3D NAND。依據(jù)上述假設(shè),JP摩根估計(jì)三星明年底的3D NAND月產(chǎn)能將攀升至22萬片(西安廠12萬片、Line 16廠近6萬片、Line 17廠近4萬片),等于是比今年底的月產(chǎn)能(16萬片)擴(kuò)充37.5%,并占業(yè)界總體產(chǎn)能的12%。

  RW Baird分析師Tristan Gerra已于5月31日發(fā)表研究報(bào)告指出,三星可能會(huì)在今年下半年把一大部分的DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到NAND型快閃存儲(chǔ)器,同時(shí)將18 納米制程產(chǎn)能初步拉高。

  Gerra認(rèn)為,下半年NAND的產(chǎn)業(yè)市況相當(dāng)樂觀,主要是拜iPhone 7的儲(chǔ)存容量增加(該款智能機(jī)應(yīng)會(huì)增添256GB版本)、PC加速采納固態(tài)硬碟(SSD)之賜。他說,這會(huì)讓NAND定價(jià)在下半年穩(wěn)定走揚(yáng)。

  ?半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)龍頭廠商應(yīng)用材料 (Applied Materials Inc.)在其財(cái)報(bào)電話會(huì)議上指出,投資活動(dòng)逐漸從DRAM轉(zhuǎn)到NAND型快閃存儲(chǔ)器,估計(jì)今年下半年DRAM的資本支出會(huì)年減至少25%,NAND則會(huì)年增35%。



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