NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢明顯　價格走揚

　　第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚。

　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚，而近一個月漲幅開始增加。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，NAND Flash原廠持續(xù)降低對于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SSD)的需求，并同時積極轉進3D-NAND Flash，讓2D-NAND Flash的產(chǎn)出持續(xù)下滑，因此現(xiàn)貨與通路市場的貨源更顯緊縮。

　　DRAMeXchange預估2016年第三季的TLC-Wafer及現(xiàn)貨卡片價格將持續(xù)走揚，而第四季的NAND Flash市況將視新一代iPhone與其他品牌智慧型手機新品上市后的銷售力道而定。

　　三星西安廠停電事故將加深市場供不應求預期心理

　　6月18日凌晨中國西安市南一變電站爆炸，使三星西安廠短暫停電數(shù)秒，在工程師搶修設備，并快速進行線上晶圓損害清查后，目前部分產(chǎn)能已恢復生產(chǎn);現(xiàn)階段三星西安廠投產(chǎn)規(guī)模達每月10萬片，全數(shù)為先進的3D-NAND Flash，主要應用在固態(tài)硬碟。

　　楊文得指出，依照事發(fā)當日部分產(chǎn)能已能恢復生產(chǎn)的進度來看，此次停電對三星NAND Flash的產(chǎn)出影響有限，預估當日其線上受損晶圓(Wafer-In-Process)片數(shù)約略在1萬片以內(nèi)，此缺口透過增加投片及縮短部份制程可以彌補，但此突發(fā)事件恐將加深市場對第三季NAND Flash供不應求的預期性心理。

　　eMMC/eMCP受益平均搭載容量加大、固態(tài)硬碟需求動能強勁

　　楊文得指出，2016 年NAND Flash需求位元年成長率為42%，其中以智慧型手機、平板及固態(tài)硬碟的需求為主要動能，占整體成長比重逾90%。雖然今年智慧型手機出貨已進入成長高原期，但eMMC/eMCP市場仍得益于平均搭載容量的逐步放大，如新一代iPhone極可能搭載最高256GB儲存容量，首波備貨需求大大挹注第三季NAND Flash市場。

　　此外，eMMC/eMCP的降價趨勢，也激勵中國品牌等智慧型手機廠商競相提高產(chǎn)品規(guī)格，32GB以上容量已成為高階智慧型手機搭載的大宗，16GB所占比例則逐漸縮小。

　　今年固態(tài)硬碟強勁的需求動能占整體NAND Flash高達34%，在各終端應用領域稱冠。由于2016年底128GB固態(tài)硬碟價格將低于500GB傳統(tǒng)硬碟，使得用戶級固態(tài)硬碟價格的吸引力愈趨顯著。DRAMeXchange預估2016年筆記型電腦SSD搭載率有望在第四季挑戰(zhàn)40%門檻。