2016年下半3D NAND供應(yīng)商上看4家 三星仍將具產(chǎn)能技術(shù)優(yōu)勢

　　DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應(yīng)3D NAND Flash的主要業(yè)者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash，三星獨(dú)家供應(yīng)3D NAND Flash的狀況將改變，不過，三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構(gòu)邁進(jìn)，短期內(nèi)仍將掌握產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢。

　　三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層、48層3D NAND Flash，2016年下半將量產(chǎn)64層3D NAND Flash，除大陸西安廠外，亦將韓國京畿道華城廠Fab 16朝3D NAND Flash轉(zhuǎn)換，并規(guī)劃華城廠Fab 17一部分空間用于增產(chǎn)3D NAND Flash，且其興建中的京畿道平澤新廠將涵蓋生產(chǎn)次世代3D NAND Flash，以建構(gòu)3D NAND Flash三大生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)。

　　2016年上半東芝已少量生產(chǎn)48層3D NAND Flash，待2016年第2季其位于日本三重縣四日市工廠的第二棟廠房重建完畢，將朝正式量產(chǎn)邁進(jìn)。為拉近落后于三星的距離，東芝與SanDisk陣營正檢討2016年下半量產(chǎn)64層3D NAND Flash的可能性。

　　至于美光/英特爾(Intel)陣營及SK海力士，2016年上半皆已有32層3D NAND Flash樣品，2016年下半可能量產(chǎn)32層/48層3D NAND Flash。

　　DIGITIMES Research觀察，三星已確立在大陸西安、韓國京畿道華城及平澤建構(gòu)3D NAND Flash三大生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)，其他存儲器業(yè)者不僅3D NAND Flash產(chǎn)能難以與之抗衡，技術(shù)亦不易迎頭趕上。

　　2016年下半存儲器業(yè)者別3D NAND Flash量產(chǎn)規(guī)劃

　　資料來源：各公司、三星證券，DIGITIMES整理，2016/6