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IBM和三星助推 MRAM、PRAM 商用

作者: 時間:2016-07-12 來源:集微網(wǎng) 收藏

  據(jù)海外媒體報道,DRAM 發(fā)展快到盡頭,磁性存儲器()和相變存儲器(PRAM)是最有潛力的接班人? 和三星電子最近宣稱,“自旋傳輸磁性存儲器(STT-)”的研究出現(xiàn)突破,有望加速走上商用之途。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201607/293872.htm

  韓媒 BusinessKorea 11 日報導, 和三星在電機電子工程師學會(IEEE)發(fā)布研究論文宣稱,兩家公司攜手研發(fā)的 STT- 的生產(chǎn)技術(shù),成功實現(xiàn) 10 納秒(nanosecond)的傳輸速度和超省電架構(gòu),理論上表現(xiàn)超越 DRAM。

  STT-MRAM 借著改變薄膜內(nèi)的電子旋轉(zhuǎn)方向、控制電流,表現(xiàn)效能和價格競爭力都優(yōu)于 DRAM。最重要的是,DRAM 很難微縮至 10 納米以下,STT-MRAM 則沒有此一困擾。業(yè)界人士表示,STT-MRAM 是次世代存儲器中最實際的替代方案,95% 的現(xiàn)行 DRAM 產(chǎn)設(shè)備皆可用于制造 STT-MRAM。 和三星之外,SK 海力士(SK Hynix)和東芝(Toshiba)也協(xié)力研發(fā)此一技術(shù)。

  除了 STT-MRAM,近來相變存儲器(PRAM)也備受矚目,英特爾的 3D Xpoint 就包含 PRAM 技術(shù)。PRMA 結(jié)合 DRAM 和 NAND Flash 優(yōu)點,速度和耐用性提高 1 千倍,不過目前仍在理論階段。



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