三星主攻HBM、英特爾集中eDRAM 跳脫存儲器頻寬限制

　　挹注次世代存儲器半導體技術(shù)研發(fā)投資的三星電子(Samsung Electronics)和英特爾(Intel)為打破存儲器業(yè)界最大議題頻寬(bandwith)的上限，正各自尋找解決方法。三星專注于研發(fā)高頻寬存儲器(HBM)和次世代SRAM技術(shù)，英特爾則正在研發(fā)嵌入式DRAM(eDRAM)。

　　據(jù)Digital Times報導，英特爾預計2017年推出的次世代芯片Kaby Lake，將采用14納米FinFET制程，搭載較Skylake容量增加2倍的256MB的eDRAM。eDRAM不同于一般DRAM，內(nèi)建于CPU Die，扮演提升系統(tǒng)快取(Cache)處理容量和速度的角色。

　　英特爾過去3年間在CPU芯片內(nèi)部設(shè)計實驗性運用eDRAM，現(xiàn)開始成為英特爾的核心策略。eDRAM過去主要應用在圖形處理器(GPU)，英特爾2015年推出第6代處理器Skylake，配備eDRAM提升圖形處理效能。

　　韓國半導體業(yè)界認為，銷售通用DRAM的三星、SK海力士(SK Hynix)，對英特爾的嘗試感到緊張。CPU和GPU性能每年飛躍性提升，存儲器性能的進展速度相對較緩慢。

　　目前最普遍的DRAM規(guī)格DDR模組可發(fā)揮的最大頻寬理論上是10Gbps，2018年后可量產(chǎn)，反觀處理器早已超過100Gbps水準。韓國半導體業(yè)界專家將此稱為處理器和存儲器間的瓶頸，或存儲器的障壁。

　　存儲器業(yè)界霸主三星為解決問題，正著手研發(fā)次世代存儲器。2015年三星成功研發(fā)10納米制程SRAM，2016年將提升SRAM技術(shù)，將10納米制程DRAM推向可量產(chǎn)階段。該SRAM比起先前三星發(fā)表的14納米SRAM，Cell面積縮減37.5%，性能、功耗方面都有改善。

　　目前半導體業(yè)界僅三星可生產(chǎn)的HBM2產(chǎn)品，應用范圍也正不斷拓寬。GPU搭載的HBM產(chǎn)品，近來如惠普(HP)、IBM等整合CPU和GPU架構(gòu)伺服器用處理器的業(yè)者增加，銷售額也迅速攀升。

　　近來半導體業(yè)者加速投資次世代存儲器技術(shù)的理由，是CPU和存儲器的瓶頸現(xiàn)象終將成為拓展IT市場需求的絆腳石。對存儲器業(yè)者來說，未來2~3年是最重要的轉(zhuǎn)捩點。