三星+IBM STT-MRAM取代傳統(tǒng)DRAM的節(jié)奏

　　三星電子(SamsungElectronics)與IBM攜手研發(fā)出11納米制程的次世代存儲(chǔ)器自旋傳輸(SpinTransferTorque)磁性存儲(chǔ)器(STT-MRAM)。兩家公司也表示，預(yù)計(jì)在3年內(nèi)展開(kāi)MRAM量產(chǎn)，也引起了業(yè)界高度的注目。

　　韓媒指出，STT-MRAM是可望取代傳統(tǒng)DRAM、SRAM的新世代存儲(chǔ)器技術(shù)。與目前的NANDFlash相比，寫(xiě)入速度快上10萬(wàn)倍，而讀取速度則是快上接近10倍。由于STT-MRAM只要透過(guò)少量電力就可以驅(qū)動(dòng)的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，不使用時(shí)也完全不需要電力。

　　MRAM的另外一項(xiàng)特征是壽命時(shí)間無(wú)限。NANDFlash反覆讀寫(xiě)后，壽命就會(huì)大幅縮短。雖然最近靠著技術(shù)的發(fā)展，已經(jīng)延長(zhǎng)了NANDFlash的使用壽命，但仍未出現(xiàn)顛覆性的改善技術(shù)。

　　MRAM自2007年亮相，2011年三星電子買下?lián)碛蠸TT-MRAM技術(shù)的開(kāi)發(fā)公司Grandis。而SK海力士(SKHynix)則是與東芝(Toshiba)合作，共同研發(fā)MRAM技術(shù)。

　　然而，這樣比NANDFlash讀寫(xiě)速度還快，又沒(méi)有壽命問(wèn)題的MRAM卻有一個(gè)致命的缺點(diǎn)，那就是50納米以下的微細(xì)制程相當(dāng)困難，費(fèi)用又極為龐大。過(guò)去這段期間，半導(dǎo)體大廠如英特爾(Intel)、美光(Micron)等雖然積極進(jìn)行MRAM的研發(fā)，但到目前為止，都未能研發(fā)出比NANDFlash更高整合度、更低生產(chǎn)價(jià)格的MRAM，以致遲遲不能商品化。

　　在此次三星與IBM共同研發(fā)成功研發(fā)11納米MRAM之后，情況將有望大幅轉(zhuǎn)變。用在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)裝置感測(cè)器、移動(dòng)裝置等領(lǐng)域的機(jī)會(huì)將會(huì)無(wú)窮無(wú)盡。長(zhǎng)期來(lái)看，更有望可以取代NANDFlash市場(chǎng)。

　　另一方面，三星與IBM除了在次世代存儲(chǔ)器事業(yè)上有合作以外，也傳出正在研擬于人工智能(AI)、半導(dǎo)體事業(yè)的合作方案。