傳三星下一代Exynos 8895處理器采用10nm工藝
根據(jù)國內(nèi)消息來源表示,三星電子正在測試其下一代手機處理器 Exynos 8995,采用10納米FinFET工藝,最高速度可達到4GHz,其功耗和傳聞當中的高通驍龍830相同,據(jù)稱高通驍龍830處理器最高工作頻率只有3.6GHz。換句話說,三星接下來的Exynos芯片或提供了極大的電源效率。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201608/295253.htm預計三星明年Galaxy S8智能手機有可能是第一個采用Exynos 8995處理器的產(chǎn)品。不過,目前來看,遷移到10nm制造工藝,仍然非常棘手。英特爾本來準備今年作出這樣的轉(zhuǎn)變,然而計劃已經(jīng)延期,并推出了權宜產(chǎn)品,顯示10nm工藝比預期更困難。同樣的事情有可能在移動芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)生。所以10nm處理器絕對不可能成為明年的主打產(chǎn)品。
其次,行業(yè)才剛剛出貨和使用14nm 芯片,高通驍龍820和821處理器是首批采用這一工藝的產(chǎn)品,在理論上還有改進的余地,所以不大可能迅速推出采用下一代制造工藝的產(chǎn)品。
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