鎂光：3D閃存芯片能讓手機擁有更多內(nèi)存容量
加入技術(shù)交流群
近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(Flash Memory Summit)上，鎂光公布了他們的首款 3D NAND 閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲存空間。據(jù) PCWorld 報道，鎂光這款 3D 閃存芯片的容量為 32GB，其目標市場為中高端的智能手機。該產(chǎn)品基于新的 UFS 2.1 標準，市面上的智能手機均未使用這種理論上更快的儲存協(xié)議。
本文引用地址：http://www.butianyuan.cn/article/201608/295256.htm
鎂光認為智能手機對內(nèi)存容量的需求越來越高，虛擬現(xiàn)實應(yīng)用和流媒體都將占用大量的儲存空間。他們表示，在幾年之內(nèi)智能手機的內(nèi)存容量可能會達到如今 PC 的水平，具體來說，大概在 2020 年就會觸及 1TB。不過，這家公司并未透露自家用于移動設(shè)備 3D 閃存芯片的發(fā)展路線圖。
與傳統(tǒng)的 2D NAND 水平排布儲存單元不同，3D NAND 使用垂直的方式排布儲存單元，這種方式既能擁有更高的容量，又能讓芯片間的通訊變快。
3D NAND 閃存芯片技術(shù)并非鎂光獨有，英特爾和三星都已經(jīng)在 SSD 上應(yīng)用了這種技術(shù)，相關(guān)產(chǎn)品的容量只會越來越大。
評論