Fairchild對(duì)于Powertrain及充電樁的相關(guān)見解

　　Powertrain設(shè)計(jì)持續(xù)地提高效率

　　當(dāng)下傳統(tǒng)汽車與電動(dòng)汽車的發(fā)展如火如荼，功率電子方面的主要趨勢(shì)包括：增大功率密度、延長到10萬次以上的循環(huán)壽命、降低成本以及提高效率。

　　混動(dòng)和電動(dòng)汽車的動(dòng)力總成設(shè)計(jì)持續(xù)地提高效率和減少CO2排放。電動(dòng)/混動(dòng)汽車動(dòng)力總成中使用更少的機(jī)械零件，更多的電子元件，設(shè)計(jì)規(guī)則和對(duì)可靠性的要求跟傳統(tǒng)汽車漸行漸遠(yuǎn)。由于電動(dòng)/混動(dòng)汽車市場的快速增長，動(dòng)力總成的設(shè)計(jì)周期越來越短。OEM廠家和一級(jí)廠家與供應(yīng)商緊密合作，減少設(shè)計(jì)實(shí)踐，采用最新技術(shù)。

　　充電樁需要小系統(tǒng)，大功率

　　在充電樁方面，當(dāng)下面臨的一個(gè)挑戰(zhàn)是在增大充電功率同時(shí)維持甚至減小整體系統(tǒng)大小?？蛻粢查_始對(duì)應(yīng)用中的關(guān)鍵器件提出更高可靠性的標(biāo)準(zhǔn)。一些工程師需要特定情況下的可靠性表現(xiàn)和參數(shù)，他們對(duì)充電樁經(jīng)驗(yàn)越來越足，理解也越來越深。Fairchild的目標(biāo)在于減少功率損耗，采用更小的封裝和更高的可靠性，通過結(jié)合先進(jìn)的硅/SiC技術(shù)以及先進(jìn)的封裝技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。

　　Fairchild 市場技術(shù)經(jīng)理-混合電動(dòng)汽車(HEV)IGBT和整流器 劉寧一

　　Fairchild有眾多的高壓MOSFET(SuperFET)、IGBT和二極管來滿足OBC和充電樁不同需求的應(yīng)用。通過SuperFET 2技術(shù)和插件/SMD封裝，客戶通過使用快速和軟開關(guān)硅二極管，或者零反向恢復(fù)以及低漏電流的碳化硅二極管，可以實(shí)現(xiàn)高性能PFC和DC/DC。

　　另外，F(xiàn)airchild有第三代和第四代場截止(FS3和FS4)Field Stop Trench快速IGBT，應(yīng)用于成本敏感的設(shè)計(jì)。有額定電流高達(dá)160A的分立IGBT，也有帶溫度感測(cè)和電流感測(cè)功能，并且符合最新AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的IGBT裸片。