一文解讀:看IC芯片制造見證10nm工藝興起
高通:10nm處理器已經(jīng)送樣 三星代工
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201608/295833.htm高通CEO Steve Mollenkopf在接受分析師提問時(shí)透露,高通的10nm工藝芯片已經(jīng)定案,同時(shí)開始送樣給客戶,高通2017年的10nm訂單都會交給三星,不過高通也會繼續(xù)堅(jiān)持多個(gè)來源的策略。
ARM:完成全球第一個(gè)10nm工藝芯片 臺積電代工
早在5月份,ARM已經(jīng)宣布,已經(jīng)與臺積電合作完成了全球第一個(gè)基于10nm工藝的芯片的流片工作,使用了尚未宣布的頂級新架構(gòu)“Artemis”。這顆測試芯片將是ARM、臺積電共同的測試平臺,用來調(diào)試相關(guān)工具和制造工藝,從而在性能、功耗、面積方面獲得最優(yōu)成果。
芯片內(nèi)集成了四個(gè)Artemis CPU核心,頻率有1.82/2.34/2.49/2.7GHz等不同檔次,同時(shí)還有當(dāng)代Mali GPU,但只有一個(gè)核心,因?yàn)橹皇怯脕碚故拘Ч选.?dāng)然了,芯片內(nèi)還有其他各種IP模塊、IO接口,用來檢驗(yàn)新工藝。
英特爾:試產(chǎn)10nm工藝Cannonlake處理器 提升50%
據(jù)可靠消息,Intel已經(jīng)開始了10nm的試產(chǎn)工作,而且將改造一批10nm工藝的制造廠,這筆支出已經(jīng)在日前發(fā)布二季度財(cái)報(bào)和三季度展望時(shí)納入。巨頭表示,14nm的先進(jìn)內(nèi)部工藝、技術(shù)積累將延續(xù)到10nm家族。資料顯示,對比三星和臺積電,Intel 14nm FinFET演進(jìn)到了第三代,在柵極間距、內(nèi)部互聯(lián)最小間距、SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲單元)、晶體管高度上都有著精細(xì)的優(yōu)勢。
10nm處理器的家族代號是Cannonlake,根據(jù)傳言,Intel希望能為其帶來相較14nm 50%的提升。采用10nm工藝制程的Cannonlake架構(gòu)處理器將于2016年第三季度發(fā)布。10nm之后,Intel、三星、臺積電、GlobalFoundries等等都在推進(jìn)7nm和5nm工藝。
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