以GaN打造的功率放大器為5G鋪路

　　德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的建構(gòu)模組：以氮化鎵(GaN)技術(shù)制造的高功率放大器電晶體...

　　下一代行動(dòng)無(wú)線網(wǎng)路——5G，將為需要極低延遲的間和/或高達(dá)10Gbps資料傳輸速率的創(chuàng)新應(yīng)用提供平臺(tái)。德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，F(xiàn)raunhofer IAF)近日開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的一種建構(gòu)模組：以氮化鎵(GaN)技術(shù)制造的高功率放大器電晶體。

　　Fraunhofer的研究人員Rüdiger Quay表示，晶片上的特殊結(jié)構(gòu)可讓基地臺(tái)設(shè)計(jì)人員以極高的電壓(較一般更高的傳送功率)執(zhí)行該元件。在其Flex5Gware計(jì)劃中，F(xiàn)raunhofer IAF已經(jīng)開(kāi)始在6GHz頻率展開(kāi)元件的原型測(cè)試了。

　　在這一類的應(yīng)用中，能量需求取決于傳輸頻寬。Quay解釋，所傳送的每1位元都需要穩(wěn)定且一致的能量。由于5G可實(shí)現(xiàn)較現(xiàn)有商用行動(dòng)無(wú)線基礎(chǔ)架構(gòu)更高200倍的頻寬，因而有必要大幅提高用于傳統(tǒng)5G高頻寬訊號(hào)的半導(dǎo)體元件能效。

　　除了創(chuàng)新的半導(dǎo)體，研究人員們還使用高度定向天線等措施來(lái)提高能量效率。

　　在金屬加工制程中產(chǎn)生的副產(chǎn)品——鎵(Gallium)十分普及。包含GaN的白光與藍(lán)光LED也有助于提高GaN的產(chǎn)量，使得GaN成為當(dāng)今一種更可負(fù)擔(dān)的元件。其結(jié)果是，F(xiàn)raunhofer IAS指出，相較于矽(Si)元件，GaN元件由于在整個(gè)產(chǎn)品壽命周期已超過(guò)其更高的制造成本，因而實(shí)現(xiàn)更節(jié)能的元件。