3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口

　　存儲(chǔ)器作為四大通用芯片之一，發(fā)展存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對(duì)電子產(chǎn)品而言，存儲(chǔ)芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會(huì)需要存儲(chǔ)芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。

　　當(dāng)前，我國(guó)筆記本、智能手機(jī)出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動(dòng)數(shù)據(jù)中心爆發(fā)，使得國(guó)產(chǎn)廠商對(duì)存儲(chǔ)需求量巨大。

　　相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2015年大陸DRAM采購(gòu)規(guī)模估計(jì)為120億美元、NAND Flash采購(gòu)規(guī)模為66.7億美元，各占全球DRAM和NAND供貨量的21.6%和29.1%。然而，這些存儲(chǔ)芯片在國(guó)內(nèi)仍舊空白，幾乎100%依賴(lài)進(jìn)口。

　　在自主可控推升政策空間，存儲(chǔ)芯片大有可為路演活動(dòng)上，銀河證券電子行業(yè)首席分析師王莉在接受記者采訪時(shí)表示，存儲(chǔ)芯片作為國(guó)家存儲(chǔ)信息安全關(guān)鍵抓手之一，一旦國(guó)產(chǎn)廠商能夠生產(chǎn)制造性能優(yōu)越的存儲(chǔ)芯片，政府將引導(dǎo)眾多廠商采購(gòu)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)存儲(chǔ)芯片，其國(guó)產(chǎn)替代空間巨大。

　　四大特性致存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化任務(wù)艱巨

　　雖然前景可期，但當(dāng)前我國(guó)存儲(chǔ)芯片仍面臨技術(shù)差距大、行業(yè)市場(chǎng)集中度高、周期性強(qiáng)、資金投入大四大特征，這也致使我國(guó)存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化任務(wù)艱巨，國(guó)內(nèi)單一企業(yè)力量難以攻克。

　　王莉告訴記者，國(guó)際主流堆棧是32-48層，三星的技術(shù)可達(dá)64層，而我們與之相差甚遠(yuǎn)。存儲(chǔ)芯片的制造工藝異常復(fù)雜，其中3D NAND閃存的制造更為困難，目前，全球各家存儲(chǔ)廠商對(duì)3D NAND的制造工藝都十分保密。當(dāng)前國(guó)內(nèi)NAND FLASH、DRAM制造技術(shù)基本處于缺失狀態(tài)。此外，知識(shí)產(chǎn)權(quán)是芯片行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的利器。但目前，存儲(chǔ)芯片專(zhuān)利幾乎都被國(guó)際巨頭壟斷，無(wú)論是武漢新芯，還是福建晉華，其技術(shù)均是依托技術(shù)授權(quán)合作。

　　通常存儲(chǔ)行業(yè)市場(chǎng)集中度高，以DRAM市場(chǎng)為例，1970年代起步時(shí)候大約40-50家，1990年代末還有14家，到2004年只剩下5家實(shí)力較為突出，而如今全球僅3家就占據(jù)市場(chǎng)90%的份額，已經(jīng)成了Samsung、SK Hynix、Micron寡頭壟斷的競(jìng)爭(zhēng)格局。

　　王莉表示，當(dāng)存儲(chǔ)行業(yè)處于景氣高漲期，資金充裕時(shí)，一家存儲(chǔ)廠商進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)充或者工藝升級(jí)，其它家存儲(chǔ)廠商如果不擴(kuò)產(chǎn)其市場(chǎng)份額將被擠壓，產(chǎn)品也將會(huì)被對(duì)手新一代產(chǎn)品所替換。由此不斷形成了惡性擴(kuò)產(chǎn)的現(xiàn)象，導(dǎo)致產(chǎn)能過(guò)剩，行業(yè)蕭條來(lái)臨。而當(dāng)行業(yè)處于蕭條期時(shí)，各大廠商便開(kāi)始?jí)嚎s產(chǎn)能，行業(yè)供需關(guān)系反轉(zhuǎn)，價(jià)格上升，景氣度開(kāi)始上揚(yáng)。由此可見(jiàn)，存儲(chǔ)芯片周期性強(qiáng)。

　　另外，根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu) Semiconductor Intelligence數(shù)據(jù)顯示，在2015 年各半導(dǎo)體公司的資本支出預(yù)算中，Samsung資本支出預(yù)算151億美元，同比增長(zhǎng)13%;SK Hynix資本支出51億美元，同比增長(zhǎng)12%;Micron資產(chǎn)支出38億美元，同比增長(zhǎng)186%;其它存儲(chǔ)廠商資本支出20億美元，同比增長(zhǎng)43%。2015年，存儲(chǔ)行業(yè)是整體半導(dǎo)體資本支出最高的領(lǐng)域，占比達(dá)到38%，資金投入量很大。

　　存儲(chǔ)芯片突圍需直面戰(zhàn)場(chǎng)

　　和CPU一樣，存儲(chǔ)器是芯片領(lǐng)域的戰(zhàn)略制高點(diǎn)，王莉認(rèn)為，我國(guó)做存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)一定要正面主戰(zhàn)場(chǎng)。首先需抓住核心技術(shù)，既要引進(jìn)尖端人才，又要外延快速獲取。近年來(lái)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)科技發(fā)展日益蓬勃，除了相關(guān)技術(shù)外，存儲(chǔ)器專(zhuān)利已然成為了競(jìng)爭(zhēng)的利器。如今，在存儲(chǔ)器行業(yè)形成寡頭壟斷的競(jìng)爭(zhēng)局面下，既有的專(zhuān)利將對(duì)新進(jìn)入者構(gòu)成重大門(mén)檻。

　　另外，她表示，存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)技術(shù)相對(duì)簡(jiǎn)單，產(chǎn)品形態(tài)標(biāo)準(zhǔn)化程度高，且易于擴(kuò)大市場(chǎng)份額，存儲(chǔ)芯片廠商都是在掌握核心技術(shù)基礎(chǔ)上憑借規(guī)模取勝。Samsung、Micron、Sandisk等存儲(chǔ)大廠每年花幾十億美元甚至上百億美元的資本支出就是希望通過(guò)加大規(guī)模提高市場(chǎng)占有率。中國(guó)廠商要想在存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)取得突破，必須做好長(zhǎng)期大規(guī)模投入、大規(guī)模虧損的心理準(zhǔn)備。 其實(shí)，無(wú)論是抓技術(shù)，還是規(guī)模，都是一件耗時(shí)耗力的工程，都必須在國(guó)家戰(zhàn)略的支持下才能完成。

　　據(jù)記者了解，當(dāng)前國(guó)內(nèi)已有多方力量著手攻克存儲(chǔ)芯片。紫光集團(tuán)600億元建設(shè)存儲(chǔ)芯片工廠，未來(lái)5年300億美元主攻存儲(chǔ)器芯片制造;武漢新芯：240億美元打造存儲(chǔ)器基地;福建晉華投資370億元，合肥聯(lián)手兆基科技投資460億元，建DRAM工廠。近期，市場(chǎng)傳紫光集團(tuán)攜手武漢新芯，共同逐力存儲(chǔ)芯片，更加凸顯國(guó)家建設(shè)存儲(chǔ)芯片的意志。

　　王莉強(qiáng)調(diào)，存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化是一項(xiàng)艱巨的工程，要敢于啃硬骨頭，存儲(chǔ)芯片的四大特性決定了國(guó)產(chǎn)化工程離不開(kāi)政府的強(qiáng)力支持。除了資金支持外，政府應(yīng)當(dāng)從人才到產(chǎn)業(yè)鏈配套等領(lǐng)域全面持續(xù)加大對(duì)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的支持。

　　3D NAND FLASH

　　有望實(shí)現(xiàn)中國(guó)彎道超車(chē)

　　一直以來(lái)，eMMC由于內(nèi)部NAND FLASH芯片價(jià)格高企，在中低端產(chǎn)品無(wú)法大范圍應(yīng)用，近年來(lái)隨著eMMC價(jià)格不斷下降，eMMC應(yīng)用將從智能手機(jī)向智能盒子、GPS終端、移動(dòng)閱讀終端等產(chǎn)品導(dǎo)入，覃崇表示，這將進(jìn)一步拓寬NAND FLASH的應(yīng)用范圍。

　　近年來(lái)，為了適應(yīng)小體積、大容量的要求，NAND FLASH不得不向高集成度發(fā)展。3D NAND在平面上可以采取更高制程，讓顆粒保持在35納米甚至40納米的制程上，通過(guò)多層結(jié)構(gòu)增加容量，提高單個(gè)晶圓產(chǎn)出率、降低成本，同時(shí)最大限度的保持閃存的壽命和可靠性。

　　Flash在進(jìn)入 2x 納米后，制程微縮帶來(lái)的成本優(yōu)勢(shì)越來(lái)越不明顯，推遲國(guó)際Flash 大廠技術(shù)進(jìn)程，因此3D-NAND Flash 成為成本繼續(xù)降低的重要方法。

　　王莉表示，從2D走到3D，需要新的技術(shù)領(lǐng)域加入，傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片大廠需要花更多的精力花在3D封裝上，給中國(guó)廠商進(jìn)入多留出一些時(shí)間，中國(guó)廠商若能整合跨領(lǐng)域人才和技術(shù)，將成為中國(guó)存儲(chǔ)芯片彎道超車(chē)好時(shí)機(jī)。

　　覃崇直言道，當(dāng)前NAND FLASH 正處于由2D轉(zhuǎn)變?yōu)?D的全面轉(zhuǎn)型時(shí)期，我國(guó)廠商可以順勢(shì)而為，借鑒國(guó)外先進(jìn)技術(shù)，結(jié)合我國(guó)的實(shí)際需求，培養(yǎng)相應(yīng)人才，制造出符合我國(guó)消費(fèi)者需求的芯片，3D NAND FLASH將會(huì)是我國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展走上快車(chē)道的一個(gè)拐點(diǎn)。