分離柵極閃存循環(huán)擦寫引起退化分量剖析

隧穿電流IR和EG-FG電壓差均達(dá)到其穩(wěn)定值(分別為αC2和αRC2)，時(shí)間常量為R(C1+C2)，請(qǐng)參見(jiàn)圖6。對(duì)于隧穿I-V特性曲線為任意形狀的實(shí)際FG單元，穩(wěn)定后的隧穿電流值相同(αC2)，穩(wěn)定后的VEG-VFG之差對(duì)應(yīng)于隧穿I-V曲線中的某個(gè)點(diǎn)。這種情況下的時(shí)間常量由隧穿I-V 特性的差分電阻定義。

圖7(a)顯示了使用非歐姆隧道電阻時(shí)施加的EG電壓和FG電勢(shì)的時(shí)序圖。為監(jiān)視VEG變化期間FG電勢(shì)的變化情況，WL溝道需保持開(kāi)路(3V)，并向漏極施加一個(gè)較小的正向偏置電壓(見(jiàn)圖7(a)中的插圖)。起點(diǎn)為單元的已編程狀態(tài)(A點(diǎn)，F(xiàn)G負(fù)電勢(shì))

圖8 不同VEG擺幅下測(cè)量的FTV-RTV遲滯回路。曲線1(±10V)，曲線2(±11V)。曲線6(±15V)。箭頭指示EG電壓斜升的方向。曲線1說(shuō)明了相對(duì)較淺擦除狀態(tài)作為起點(diǎn)時(shí)的情況：隧穿開(kāi)始前，F(xiàn)G溝道由EG-FG電容耦合關(guān)斷。

在A-B間隔內(nèi)，F(xiàn)G電勢(shì)因EG-FG電容耦合而增加，即，它以低于EG電壓的速率增大;這樣便產(chǎn)生了EG-FG電壓差。一旦此壓降增大至足以啟動(dòng) FG至EG(B點(diǎn))的電子隧穿，EG-FG電壓差和隧穿電流都將保持穩(wěn)定。VEG反向變化期間也會(huì)出現(xiàn)類似效果。VEG線性斜坡期間，當(dāng)隧穿電流保持穩(wěn)定時(shí)，EG-FG電壓差也會(huì)處于穩(wěn)定狀態(tài)，這樣，F(xiàn)G電勢(shì)便會(huì)直接跟隨施加的EG電壓并帶有一些偏移量。當(dāng)VEG為正時(shí)，F(xiàn)G電勢(shì)等于正向隧穿電壓(FTV);當(dāng)VEG為負(fù)時(shí)，F(xiàn)G電勢(shì)等于反向隧穿電壓(RTV)(圖7(b))。在穩(wěn)定隧穿狀態(tài)下，由于EG電壓的任何增量都會(huì)直接傳遞給FG電勢(shì)的變化，因此測(cè)量的Id-VEG曲線的形狀與Id-VFG特性曲線的形狀相同，此特性曲線可在直接接觸浮置柵極的單元上測(cè)量(圖7(b)中的曲線3)。

我們最初使用上述方法來(lái)研究SuperFlash 單元中正向和反向EG-FG隧穿的不對(duì)稱性[3]。FTV-RTV不對(duì)稱性(FTV 《 RTV)表示擦除期間在FG尖端發(fā)生電子隧穿。反向隧穿很可能發(fā)生在不同位置，因?yàn)镕G尖端附近EG處的電場(chǎng)弱于FG-EG側(cè)壁處的電場(chǎng)。由于隧道氧化層中的各區(qū)域(正向隧穿和反向隧穿期間會(huì)在其中發(fā)生電子轉(zhuǎn)移)不同，因此常規(guī)燒寫-擦除循環(huán)后的FTV往往會(huì)因隧道氧化層中發(fā)生的電子俘獲而增大，而RTV 則保持相對(duì)不變。如果VEG的范圍寬到足以確保在VEG三角形范圍的極點(diǎn)處進(jìn)行單元深度擦除和燒寫，則Id-VEG遲滯回路正向側(cè)和反向側(cè)的X軸位置對(duì) FG上的初始電荷量不敏感(圖8)，并且僅由FTV/RTV和FG Vt值定義。當(dāng)因FG氧化層中發(fā)生燒寫引起的電子俘獲而使FG Vt增大時(shí)，回路兩側(cè)均會(huì)右移相同電壓?；芈酚覀?cè)(FTV)也會(huì)因隧道氧化層中的電子俘獲而移向更高的電壓。

圖9 循環(huán)擦寫后FTV-RTV遲滯回路偏移示例：(a) 未優(yōu)化的編程條件，F(xiàn)G溝道顯著退化;(b) 優(yōu)化了工藝和工作條件，F(xiàn)G溝道和隧道氧化層略微退化;(c) 以VEG=±12V進(jìn)行循環(huán)擦寫，無(wú)溝道退化，因此，假設(shè)RTV不隨循環(huán)擦寫變化，循環(huán)擦寫引起的反向特性正移(圖7(b)中的曲線2)表示第一個(gè)退化分量(FG氧化層Vt增大)，而正向側(cè)的偏移(圖7(b)中的曲線1)表示FG氧化層和隧道氧化層退化的聯(lián)合作用。

實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和討論

前幾代SuperFlash技術(shù)依靠源極-FG電容耦合來(lái)提供必要的高FG電勢(shì)，從而實(shí)現(xiàn)高燒寫效率[1]。如果燒寫期間的SL電壓較高(8V- 10V)，則熱電子會(huì)引起FG氧化層發(fā)生顯著退化。在第3代SuperFlash單元中，由于存在額外的耦合柵極(CG)，因此可將編程期間的SL電壓降至4V-5V，從而明顯減少編程引起的FG氧化層退化。通常，我們?cè)谒淼姥趸瘜又杏^察到的電子俘獲是循環(huán)擦寫引起的擦除退化的主要因素，F(xiàn)G氧化層退化只起到很小的作用。如果FG氧化層發(fā)生明顯退化，則可能表示FG氧化層的質(zhì)量欠佳或未采用優(yōu)化的燒寫條件。圖9給出了循環(huán)擦寫前和循環(huán)擦寫后FTV-RTV 遲滯回路在不同退化分量比率下的示例。圖9(a)顯示了采用未優(yōu)化編程條件(導(dǎo)致FG溝道發(fā)生顯著退化)時(shí)的效果，這一因素占總擦除性能退化的30%。圖 9(b)給出了FG溝道略微退化的示例，F(xiàn)G Vt的變化約為0.1V。圖9(c)說(shuō)明了使用EG-FG正向和反向隧穿時(shí)單元的循環(huán)擦寫情況。在這種情況下，F(xiàn)G氧化層不退化，遲滯回路偏移的原因是循環(huán)擦寫引起FTV和RTV值增加。

總結(jié)

我們提出了一種簡(jiǎn)單快速的方法來(lái)分析SuperFlash分離柵極存儲(chǔ)單元中循環(huán)擦寫引起的退化分量。本方法基于隧穿電流穩(wěn)定性在向擦除柵極施加線性斜坡電壓時(shí)的作用。通過(guò)這種方法，可以快速分離FG溝道和隧道氧化層退化對(duì)單元擦除性能總體退化的影響。了解退化分量的絕對(duì)影響和相對(duì)影響有助于確定限制 SuperFlash耐擦寫次數(shù)的最關(guān)鍵因素，進(jìn)而對(duì)單元工藝和/或工作條件做出相應(yīng)的優(yōu)化。