三星3D V-NAND固態(tài)盤(pán)加速企業(yè)閃存進(jìn)化

三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級(jí)應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤(pán)存儲(chǔ)--V-NAND固態(tài)盤(pán)。最新用于固態(tài)盤(pán)V-NAND技術(shù)帶來(lái)性能上的提升，節(jié)省電力消耗，并提高了急需的可靠性。

V-NAND固態(tài)盤(pán)有480GB和960GB兩個(gè)容量點(diǎn)，960GB容量的固態(tài)盤(pán)提供最高性能，采用64個(gè)MLC 3D V-NAND閃存讓連續(xù)隨機(jī)讀速度提高了20%。

新推出的V-NAND固態(tài)盤(pán)還提供了35K擦除周期，2.5英寸規(guī)格，為服務(wù)器制造商提供更高的設(shè)計(jì)靈活性和可擴(kuò)展性。

三星電子半導(dǎo)體研發(fā)中心執(zhí)行副總裁E.S. Jung在最近的閃存內(nèi)存峰會(huì)(Flash Memory SUmmit)上表示：“三星的3D V-NAND克服了將制程工藝縮小到10納米以下的難以逾越的障礙，為全球客戶提供最高密度的可靠性，性能提高20%，能耗降低40%。”

“我們將繼續(xù)為服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備以及PC市場(chǎng)推出各種不同的綠色內(nèi)存產(chǎn)品以及解決方案，幫助減少能源浪費(fèi)，在企業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)領(lǐng)域創(chuàng)造更大的共同價(jià)值。”

據(jù)三星稱，專有的3D V-NAND技術(shù)比20納米級(jí)NAND閃存的制造生產(chǎn)力提高了兩倍以上，通過(guò)利用3D Charge Trap Flash單元結(jié)構(gòu)以及垂直互連技術(shù)，連接24層組成3D單元陣列。

3D V-NAND固態(tài)盤(pán)將從本月開(kāi)始生產(chǎn)。