單芯片內(nèi)存條或?qū)⑼瞥?/h1>
Tessera Technologies, Inc.旗下全資子公司Invensas Corporation今天宣布，將在本月中旬的Intel舉辦舊金山秋季IDF 2011上展示自己的新型多die面朝下內(nèi)存封裝技術(shù)“xFD”，比傳統(tǒng)的雙die封裝形式(DDP)更進(jìn)一步。也許在未來(lái)的某一天，我們將能夠看到只有兩顆乃至一顆芯片的內(nèi)存條了。
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/201609/304736.htmxFD全稱multi-die face-down，是一種基于焊線(wirebond)的多die封裝技術(shù)，將多顆DRAM IC以面朝下的方式封裝在一顆芯片內(nèi)，并采用類似windows-BGA封裝的短焊線結(jié)構(gòu)，號(hào)稱：
- 提升容量，整體元件尺寸比傳統(tǒng)方案縮小25-35%，主要是垂直高度大大降低;
- 增強(qiáng)電氣性能，同時(shí)因?yàn)樯舷耫ie性能均衡而可將良品率提升50-70%;
- 比傳統(tǒng)雙die封裝(DDP)熱傳輸效率提升20-30%。
xFD技術(shù)現(xiàn)在有兩種形式，一是“DFD”(Dual Face Down)，單芯片封裝兩顆x4/x8/x16 DRAM die，其中x4/x8版本采用104 BGA封裝，尺寸11.5×11.5毫米，x16版本采用136 BGA封裝，尺寸11.5×11.5毫米或者11.5×14毫米。
二是“QFD”(Quad Face Down)，單芯片封裝四顆x8/x15 DRAM die，256 BGA封裝，尺寸16.2×16.2毫米。
如果你擔(dān)心這種封裝下的內(nèi)存性能的話，Invensas公司宣稱其可在2133MHz高頻率下運(yùn)行，而且經(jīng)過(guò)了完全調(diào)試和認(rèn)證。
Invensas xFD封裝技術(shù)主要面向服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、筆記本和其它移動(dòng)設(shè)備，但何時(shí)能夠出現(xiàn)在市面上還不得而知。
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Tessera Technologies, Inc.旗下全資子公司Invensas Corporation今天宣布，將在本月中旬的Intel舉辦舊金山秋季IDF 2011上展示自己的新型多die面朝下內(nèi)存封裝技術(shù)“xFD”，比傳統(tǒng)的雙die封裝形式(DDP)更進(jìn)一步。也許在未來(lái)的某一天，我們將能夠看到只有兩顆乃至一顆芯片的內(nèi)存條了。
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/201609/304736.htmxFD全稱multi-die face-down，是一種基于焊線(wirebond)的多die封裝技術(shù)，將多顆DRAM IC以面朝下的方式封裝在一顆芯片內(nèi)，并采用類似windows-BGA封裝的短焊線結(jié)構(gòu)，號(hào)稱：
- 提升容量，整體元件尺寸比傳統(tǒng)方案縮小25-35%，主要是垂直高度大大降低;
- 增強(qiáng)電氣性能，同時(shí)因?yàn)樯舷耫ie性能均衡而可將良品率提升50-70%;
- 比傳統(tǒng)雙die封裝(DDP)熱傳輸效率提升20-30%。
xFD技術(shù)現(xiàn)在有兩種形式，一是“DFD”(Dual Face Down)，單芯片封裝兩顆x4/x8/x16 DRAM die，其中x4/x8版本采用104 BGA封裝，尺寸11.5×11.5毫米，x16版本采用136 BGA封裝，尺寸11.5×11.5毫米或者11.5×14毫米。
二是“QFD”(Quad Face Down)，單芯片封裝四顆x8/x15 DRAM die，256 BGA封裝，尺寸16.2×16.2毫米。
如果你擔(dān)心這種封裝下的內(nèi)存性能的話，Invensas公司宣稱其可在2133MHz高頻率下運(yùn)行，而且經(jīng)過(guò)了完全調(diào)試和認(rèn)證。
Invensas xFD封裝技術(shù)主要面向服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、筆記本和其它移動(dòng)設(shè)備，但何時(shí)能夠出現(xiàn)在市面上還不得而知。
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