誰(shuí)會(huì)是三星14/10nm工藝泄密事件的幕后買(mǎi)家？

　　英特爾、臺(tái)積電、三星可謂是目前半導(dǎo)體制程工藝的領(lǐng)軍廠(chǎng)商。目前這三家都在緊鑼密鼓的準(zhǔn)備推出最新的10nm制程工藝，都希望能夠搶先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一步推向市場(chǎng)，占據(jù)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。不過(guò)近日，三星卻發(fā)生了一起嚴(yán)重的泄密事件。

　　三星高管偷賣(mài)14/10nm工藝機(jī)密給中國(guó)公司?

　　據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道稱(chēng)，韓國(guó)警方近日逮捕了三星System LSI部門(mén)的一位李姓高管，原因是他將該公司的半導(dǎo)體技術(shù)機(jī)密賣(mài)給了某中國(guó)公司，而對(duì)方是三星電子的直接競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手(具體是誰(shuí)未公開(kāi))。

　　據(jù)說(shuō)，此人出賣(mài)了三星14nm、10nm工藝的機(jī)密信息，而目前三星還沒(méi)有公開(kāi)披露任何有關(guān)10nm Exynos處理器的消息，但據(jù)說(shuō)明年初的新旗艦Galaxy S8會(huì)首次使用。

　　報(bào)道稱(chēng)，三星已經(jīng)起訴了這位高管，檢察部門(mén)也將展開(kāi)更深入的調(diào)查。

　　這家“中國(guó)公司”會(huì)是誰(shuí)?

　　雖然，報(bào)道并未透露三星這位李姓高管究竟將“三星14nm、10nm工藝的機(jī)密信息”賣(mài)給哪家中國(guó)公司，但是可以看到，報(bào)道中稱(chēng)“對(duì)方是三星電子的直接競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手”，而目前能夠稱(chēng)得上是三星的“直接競(jìng)爭(zhēng)”對(duì)手的只有臺(tái)積電和英特爾。而大陸的芯片代工龍頭中芯國(guó)際去年下半年才開(kāi)始量產(chǎn)28nm，顯然也算不上三星的“直接競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手”。

　　當(dāng)然，肯定有人會(huì)質(zhì)疑稱(chēng)，如果是臺(tái)積電，韓國(guó)媒體應(yīng)該會(huì)報(bào)道稱(chēng)是“泄密給臺(tái)灣公司”。不過(guò)，早在1992年的時(shí)候，韓國(guó)就已經(jīng)承認(rèn)臺(tái)灣是中國(guó)的一部分。所以，如果確實(shí)是“臺(tái)積電”，韓國(guó)媒體稱(chēng)其為“中國(guó)公司”也是合理的，另外如果直接說(shuō)是臺(tái)灣公司，那么矛頭指向似乎就比較明確和直接了。

 三星與臺(tái)積電的暗戰(zhàn)

　　近年來(lái)，三星在半導(dǎo)體工藝方面可謂是進(jìn)步神速，其14nm工藝早在2014年12月就已經(jīng)開(kāi)始開(kāi)始量產(chǎn)，領(lǐng)先臺(tái)積電至少半年。而三星之所以能夠成功超越臺(tái)積電的關(guān)鍵在于張忠謀愛(ài)將——前臺(tái)積電資深處長(zhǎng)梁孟松，以及他麾下由黃國(guó)泰、夏勁秋、鄭鈞隆、侯永田及陳建良等臺(tái)積電舊部屬組成的“臺(tái)灣團(tuán)隊(duì)”。

　　梁孟松于2009年從臺(tái)積電離職，當(dāng)年8月到三星集團(tuán)旗下的成均館大學(xué)任教，據(jù)悉從那時(shí)開(kāi)始，梁孟松陸續(xù)將臺(tái)積電機(jī)密泄露給了三星。而當(dāng)三星14nm成功量產(chǎn)之時(shí)，梁孟松已“正式”擔(dān)任三星LSI(即晶圓代工部門(mén))技術(shù)長(zhǎng)三年半的時(shí)間。

　　為何認(rèn)為三星的成功是因?yàn)榱好纤蓪⑴_(tái)積電機(jī)密泄露給了三星呢?

　　據(jù)了解，臺(tái)積電曾委托外部專(zhuān)家制作了一份“臺(tái)積電/三星/IBM產(chǎn)品關(guān)鍵制程結(jié)構(gòu)分析比對(duì)報(bào)告”，詳細(xì)比對(duì)三家公司產(chǎn)品最近四個(gè)世代的主要結(jié)構(gòu)特征，以及組成材料。

　　由于三星產(chǎn)品技術(shù)源自IBM，因此該公司2009年開(kāi)始量產(chǎn)的65nm制程，產(chǎn)品特征與IBM相似，和臺(tái)積電差異極大。這點(diǎn)符合一般預(yù)期。但令臺(tái)積電驚訝的是，隨后的三星的45nm、32nm、28nm世代，與臺(tái)積電差異快速減少。報(bào)告中列出七個(gè)電晶體的關(guān)鍵制程特征，例如淺溝槽隔離層的形狀、后段介電質(zhì)層的材料組合等，雙方都高度相似。