MRAM的黃金時代即將來臨？

　　MRAM市場可能會在明年開始變得越來越“擁擠”──開發(fā)OST-MRAM (Orthogonal Spin Transfer MRAM)技術的美國業(yè)者Spin Transfer Technologies (STT)日前宣布在自家研發(fā)晶圓廠制作出僅20奈米的垂直MRAM磁穿隧接面(perpendicular magnetic tunnel junction，pMTJ)，其目標是在明年第一季開始提供其MRAM樣品，并在2018年讓產(chǎn)品正式上市。

　　STT執(zhí)行長Barry Hoberman接受EE Times訪問時表示，位于該公司總部的研發(fā)晶圓廠在其技術商業(yè)化過程中扮演了關鍵角色，而從今年初開始，STT已經(jīng)達到了可處理超過40晶圓批次(wafer lots)的能力;他指出，為了最佳化開發(fā)周期：“我們已經(jīng)為MRAM所需的磁性元件建造了完整的無塵室。”

　　MRAM這種新興記憶體技術已經(jīng)崛起好一段時間，目前Everspin Technologies是唯一推出商用產(chǎn)品的廠商;但盡管市場上供應商數(shù)量有限，Hoberman表示MRAM技術已經(jīng)演進至第三代：“pMTJ就是目前的最新進展，而我們已經(jīng)達成。”

　　STT的公司歷史最早可追溯到2001年美國紐約大學(New York University)教授Andrew Kent所主導開發(fā)的一項研究，而該公司是在2007年正式成立，到目前為止已經(jīng)募得1.08億美元的資金，并成長為擁有60名員工的企業(yè)。

　　Hoberman指出，MRAM雖然在速度、功耗以及耐久性方面表現(xiàn)優(yōu)異，但與其他記憶體如DRAM的一個關鍵差異，是pMTJ MRAM的寫入為概略性(probabilistic)而非決定性(deterministic)，因此有一定程度的隨機性(randomness)。這意味著當你將資料寫入DRAM記憶體單元1兆次，就大概有1兆次的成功寫入;但同樣寫入1兆次資料至pMTJ MRAM，則會有幾次是失敗的。

　　“那些失敗的寫入是隨機出現(xiàn)，如何處理這種概略性，就是讓MRAM達到所需的性能與可靠度之關鍵;”Hoberman表示，STT的目標是讓pMTJ MRAM的概略性表現(xiàn)控制在恰當水準，以利用其專有的讀寫架構，達到更快的速度、更好的耐久性以及更低功耗。

　　STT的目標是讓pMTJ MRAM的概略性表現(xiàn)控制在恰當水準

　　STT看好MRAM的兩大主流應用──企業(yè)用儲存，以及包括汽車與手機顯示等嵌入式應用;Hoberman表示，該公司也將開發(fā)獨立MRAM元件，并將技術授權給晶圓代工業(yè)者。市場研究機構Objective Analysis首席分析師Jim Handy表示，STT在技術開發(fā)腳步上雖然稍嫌落后，但因為自有晶圓廠，可望能很快趕上競爭對手。