大陸IC產(chǎn)業(yè) 國(guó)家意志崛起

　　回顧2011～2015年資料，中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)年產(chǎn)值增幅保持在10%以上，近2年增長(zhǎng)幅度更是維持在20%左右，而制造端從2012年起增速逐步上升，至2015年產(chǎn)值年增率更是來(lái)到25%，充分體現(xiàn)中國(guó)在IC制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展方面強(qiáng)烈的國(guó)家意志。

　　一、中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值

　　與IC制造業(yè)產(chǎn)值

　　積 體電路產(chǎn)業(yè)在國(guó)家經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國(guó)家安全中占有至關(guān)重要的地位，2000年以來(lái)，中國(guó)政府發(fā)表了一系列IC產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)扶持和發(fā)展政策從未間斷，其中“國(guó)家積體電 路發(fā)展推進(jìn)綱要”提出目標(biāo)：中國(guó)積體電路產(chǎn)業(yè)2030年前躋身全球領(lǐng)先陣營(yíng)，在IC制造領(lǐng)域也提出在2020年實(shí)現(xiàn)16/14奈米規(guī)?；慨a(chǎn)目標(biāo)。

　　中 國(guó)電子資訊產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶動(dòng)IC晶片需求快速增長(zhǎng)，2015年中國(guó)IC產(chǎn)品進(jìn)口額高達(dá)2,310億美元，貿(mào)易逆差超1,600億美元，進(jìn)口替代需求極其迫切。 2013年6月“棱鏡門(mén)”事件爆發(fā)，資訊安全已上升至國(guó)家安全戰(zhàn)略高度，中國(guó)政府一方面開(kāi)始去“IOE”化(IOE具體說(shuō)法是以IBM為代表的主機(jī)，以為 代表的關(guān)聯(lián)式資料庫(kù)，與以EMC為代表的高階儲(chǔ)存設(shè)備)，另一方面積極扶持中國(guó)積體電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

　　從2014年6月24日國(guó)務(wù)院發(fā)表“國(guó) 家積體電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要”至今，中國(guó)積體電路產(chǎn)業(yè)已取得重大成果，2015年中國(guó)積體電路產(chǎn)業(yè)營(yíng)收已達(dá)3,610億元人民幣。自2012年起，中國(guó)積 體電路制造業(yè)發(fā)展速度已超過(guò)積體電路產(chǎn)業(yè)整體增長(zhǎng)速度，2012～2015年復(fù)合增長(zhǎng)率接近20%，2015年中國(guó)IC制造業(yè)銷(xiāo)售額達(dá)902億元人民幣。

　　如前所述，雖然中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)已躍居全球第1大市場(chǎng)，但整體而言，半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)品的自給率依然偏低，僅為27%左右，未來(lái)仍有很大替代空間。

　　二、IC制造領(lǐng)域重大事件

　　(一)中國(guó)IC制造產(chǎn)業(yè)并購(gòu)案與新廠計(jì)畫(huà)

　　為 應(yīng)對(duì)IC晶片產(chǎn)品嚴(yán)重依賴(lài)進(jìn)口問(wèn)題，提升中國(guó)IC晶片產(chǎn)品自給率，中國(guó)代工廠近幾年加快投資擴(kuò)產(chǎn)步伐，“中國(guó)制造2025”明確提出2020年自給率達(dá) 40%，2025年自給率達(dá)70%，由此吸引臺(tái)積電、聯(lián)電與GlobalFoundries等全球同業(yè)在中國(guó)打造12寸晶圓廠。

　　伴隨各大12寸晶圓廠陸續(xù)進(jìn)駐中國(guó)，各地方政府也表現(xiàn)出急切發(fā)展熱情，這也同時(shí)給政府帶來(lái)難題-如何合理分配優(yōu)勢(shì)資源。

　　預(yù)計(jì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)投資啟動(dòng)3年左右將是最關(guān)鍵和最困難時(shí)刻，屆時(shí)長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)品能否與對(duì)手正面競(jìng)爭(zhēng)、各方能否在巨額持續(xù)投資的重壓下保持戰(zhàn)略定力，這是擺在中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展路途上必須邁過(guò)的一道門(mén)檻。

　　(二)臺(tái)積電2016年底量產(chǎn)10奈米制程

　　目 前臺(tái)積電在先進(jìn)制程上正一步步趕上英特爾，預(yù)計(jì)2016年第4季量產(chǎn)10奈米，7奈米則在2018年初進(jìn)入量產(chǎn)階段，英特爾10奈米將延至2017年第2 季，盡管英特爾10奈米在Device和Gate Density都優(yōu)于臺(tái)積電的10奈米，但兩者在先進(jìn)制程的差距正逐漸縮小。

　　此外，臺(tái) 積電因成功掌握蘋(píng)果和聯(lián)發(fā)科等大客戶，在與三星和英特爾的激烈交鋒中已獲得絕對(duì)霸主姿態(tài)，預(yù)計(jì)2017年問(wèn)世的新款蘋(píng)果智慧型手機(jī)中，最關(guān)鍵的A11處理 晶片將全數(shù)搭載臺(tái)積電10奈米制程，并搭配臺(tái)積電的整合型扇形封裝技術(shù)(InFO)，屆時(shí)10奈米市占率將獨(dú)步全球，預(yù)計(jì)高達(dá)70%。

　　中國(guó)方面，中芯國(guó)際在過(guò)去幾年已顯著縮小與聯(lián)電差距，但先進(jìn)制程發(fā)展仍落后臺(tái)積電和聯(lián)電。

　　三、中國(guó)IC制造產(chǎn)業(yè)格局

　　和代表廠商現(xiàn)況

　　(一) 中國(guó)IC制造產(chǎn)業(yè)格局

　　全 球12寸晶圓廠產(chǎn)能向中國(guó)轉(zhuǎn)移已成定局，中國(guó)現(xiàn)有12寸晶圓廠產(chǎn)能共計(jì)42萬(wàn)片/月，其中包括英特爾(大連)、三星(西安)、SK Hynix(無(wú)錫)、中芯國(guó)際(北京與上海)與華力微電子。2016～2018年中國(guó)新增晶圓廠總產(chǎn)能將高達(dá)63.5萬(wàn)片/月，占全球12寸晶圓廠總產(chǎn)能 的比重也會(huì)由2016年10%、攀升至2018年22%。中國(guó)新增12寸晶圓廠包括聯(lián)芯(廈門(mén))、武漢新芯、晉華(晉江)、臺(tái)積電(南京)、德科瑪(淮 安)、晶合(合肥)、兆基科技(合肥)與GlobalFoundries(重慶)等。

　　事實(shí)上，從分布圖中可看到由北向南，中國(guó)12寸晶圓廠主要分布在環(huán)渤海、中西部、長(zhǎng)三角與珠三角四大區(qū)域，已呈現(xiàn)遍地開(kāi)花態(tài)勢(shì)。

　　(二)中國(guó)IC制造代表廠商現(xiàn)況

　　2015年全球前10大代工廠中，前4大廠臺(tái)積電、聯(lián)電、三星與GlobalFoundries市占率總和已高達(dá)79.6%，其中臺(tái)積電一騎絕塵，市占率達(dá)53%，中國(guó)中芯國(guó)際和華虹宏力分別以4.5%和1.3%排名第5位和第9位。

　　作 為中國(guó)晶圓代工龍頭，中芯國(guó)際2016年第1季銷(xiāo)售額達(dá)6.34億美元，同比增長(zhǎng)24.5%，2015年銷(xiāo)售額創(chuàng)新高達(dá)22.36億美元，年增長(zhǎng)率為 13.5%，已大幅超過(guò)聯(lián)電，聯(lián)電2015年?duì)I收增長(zhǎng)率為-2.1%，目前中芯國(guó)際12寸月產(chǎn)能達(dá)6.25萬(wàn)片，8寸月產(chǎn)能達(dá)16.2萬(wàn)片，折合8寸晶圓 產(chǎn)能每月31.5萬(wàn)片。

　　中芯國(guó)際是中國(guó)第1家提供28奈米先進(jìn)制程的純晶圓代工廠商，采用業(yè)界主流技術(shù)，包含傳統(tǒng)的多晶矽 (PolySiON)和后閘極的高介電常數(shù)金屬閘極(HKMG)制程。目前已成功在28奈米制程制程為聯(lián)芯的SOC晶片和高通驍龍?zhí)幚砥骶瓿赏镀?，?在2016年6月中芯北京廠成功量產(chǎn)驍龍425，進(jìn)而鞏固在中國(guó)晶圓代工龍頭廠商的地位。

　　此外，2016年6月中芯國(guó)際出資4,900萬(wàn) 歐元收購(gòu)義大利晶圓代工廠LFoundry 70%股份，憑藉此收購(gòu)，中芯國(guó)際進(jìn)軍了全球汽車(chē)電子市場(chǎng)。然而，中芯國(guó)際產(chǎn)能主要集中分布在65奈米以上，其中0.13微米以上低階制程占據(jù)中芯國(guó)際年 營(yíng)收比較過(guò)半，盡管45奈米制程在2015年?duì)I收占比較2014年提高5%達(dá)16%，但28奈米制程在2015年總營(yíng)收占比還不足1%，繼續(xù)擴(kuò)充45奈米 制程產(chǎn)能，盡快突破28奈米制程實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)和開(kāi)發(fā)16/14奈米技術(shù)，是中芯國(guó)際目前的重大課題。

　　上海華虹NEC電子有限公司和上海巨 宏半導(dǎo)體制造有限公司新設(shè)合并而成，目前在上海張江和金橋共有3條200mm積體電路生產(chǎn)線，產(chǎn)能2016年第2季15.1萬(wàn)片/月，主要制程節(jié)點(diǎn)覆蓋 90奈米～1微米，主要打造嵌入式非易失性記憶體、功率器件、邏輯、電源管理、射頻、類(lèi)比與混合信號(hào)等制程平臺(tái)，其中以智慧卡和MCU應(yīng)用為主之嵌入式非 易失性記憶體制程平臺(tái)的銷(xiāo)售額比重達(dá)該公司年?duì)I收的40%。

　　華虹宏力0.15微米以上制程占總營(yíng)收60%左右，公司季報(bào)顯示：0.13微 米以下等先進(jìn)制程的比率在過(guò)去一年一路下滑，由2015年第2季38.4%下降到2016年第2季33.3%。2015年華虹宏力年銷(xiāo)售額為6.5億美 元，全球市占僅為1%，隨著12寸廠興起，8寸廠必須走一條差異化競(jìng)爭(zhēng)的道路，一方面攻占高成長(zhǎng)和高附加值產(chǎn)品市場(chǎng)，另一方面要持續(xù)投入創(chuàng)新。

　　四、存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)新布局

　　目 前全球存儲(chǔ)芯片制造主要由三星、SK海力士、美光、東芝與英特爾等國(guó)際大廠壟斷，在2D-NAND制程制程基本達(dá)到極限的情況下，各大廠紛紛開(kāi)始探索 3D-NAND技術(shù)，目前三星32層和48層3D V-NAND產(chǎn)品，與美光和英特爾32層3D-NAND產(chǎn)品，于2015年底已正式投放市場(chǎng)，東芝、SanDisk與SK海力士前期在邁入3D-NAND 主流廠商的道路上稍顯遲鈍，不過(guò)2016年7月東芝和SanDisk同時(shí)宣布，已研發(fā)出64層3D-NAND flash制程技術(shù)，并計(jì)畫(huà)采用該技術(shù)256Gb(32GB)產(chǎn)品在2017上半年進(jìn)行量產(chǎn)，隨后三星也立即宣布于2016年底量產(chǎn)4GV- NAND(64層)產(chǎn)品。在新興技術(shù)領(lǐng)域，各廠商都正處于起跑階段，距離還未完全大幅拉開(kāi)，這對(duì)中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展是有利因素。

　　中國(guó)存儲(chǔ)芯片幾乎完全依賴(lài)進(jìn)口，進(jìn)口額約占IC芯片總進(jìn)口額4分之1，盡管中國(guó)已有三星、英特爾與SK海力士3大廠設(shè)立存儲(chǔ)器芯片制造廠，但都是外資控股，這些廠商對(duì)制程技術(shù)都嚴(yán)格保密，中國(guó)工程師很難走到核心技術(shù)崗位，這對(duì)中國(guó)存儲(chǔ)晶片制造業(yè)的影響非常有限。

　　此外，紫光透過(guò)購(gòu)買(mǎi)西數(shù)股份曲線收購(gòu)SanDisk受到美國(guó)外國(guó)投資委員會(huì)(CFIUS)阻撓，最終告吹，這也提醒中國(guó)真正核心技術(shù)未必能用錢(qián)買(mǎi)得到，因此中國(guó)存儲(chǔ)晶片發(fā)展重點(diǎn)還需放在自主創(chuàng)新和技術(shù)引進(jìn)相結(jié)合的方向。

　　在 新建的晶圓廠中，武漢新芯和晉華都集中關(guān)注在存儲(chǔ)晶片上，其中武漢新芯和Spansion合作進(jìn)軍NAND領(lǐng)域，計(jì)畫(huà)推出3D-NAND產(chǎn)品，拉近與韓國(guó) 和美國(guó)廠商的差距;晉華則攜手聯(lián)電，避開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)激烈的標(biāo)準(zhǔn)型記憶體市場(chǎng)，以利基型記憶體為切入點(diǎn)，打造中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)。此外，為進(jìn)一步整合資源，集中力量 發(fā)展存儲(chǔ)晶片產(chǎn)業(yè)，紫光又聯(lián)手武漢新芯并成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限公司，趙偉國(guó)任董事長(zhǎng)，國(guó)家積體電路發(fā)展基金總經(jīng)理丁文武任副董事長(zhǎng)，至此，中國(guó)存儲(chǔ)晶片制 造業(yè)的大船才剛剛下水。

　　五、結(jié)語(yǔ)

　　2011年起，中國(guó)IC制造業(yè)就維持在25%左右高增長(zhǎng)率，充分體現(xiàn)中國(guó)在IC制造產(chǎn)業(yè) 發(fā)展方面強(qiáng)烈的國(guó)家意志，特別是近期各國(guó)際知名晶圓廠商紛紛登陸中國(guó)，以與當(dāng)?shù)鼐A廠的技術(shù)引進(jìn)和資源整合動(dòng)作，中國(guó)龐大的市場(chǎng)空間已給各廠商帶來(lái)無(wú)限遐 想，未來(lái)能否完成國(guó)產(chǎn)替代化的轉(zhuǎn)變，是中國(guó)IC制造業(yè)必須面對(duì)的難題和重點(diǎn)。

　　中國(guó)12寸晶圓廠數(shù)量增多，分散的資源配置將無(wú)法實(shí)現(xiàn)規(guī)模效 應(yīng)，同時(shí)這些不具規(guī)模優(yōu)勢(shì)的廠商在未來(lái)必將引發(fā)惡性競(jìng)爭(zhēng)，最終可能將IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展置于惡劣的營(yíng)運(yùn)環(huán)境中。未來(lái)中國(guó)IC制造產(chǎn)業(yè)差異化競(jìng)爭(zhēng)是規(guī)避小規(guī)模廠商 惡性競(jìng)爭(zhēng)的重要手段;此外，合理進(jìn)行資源整合形成規(guī)模效應(yīng)也是未來(lái)中國(guó)IC制造業(yè)發(fā)展趨勢(shì)。