Intel以色列廠明年初導(dǎo)入10nm

　　英特爾(Intel Corp.)的晶圓代工制程進(jìn)度雖然落后臺(tái)積電(2330)，但專家分析，英特爾穩(wěn)扎穩(wěn)打，14奈米、10奈米制程今(2016)年底前的擴(kuò)充進(jìn)度都相當(dāng)不錯(cuò)。圖為英特爾執(zhí)行長(zhǎng)科再奇(Brian Krzanich)。

　　barron`s.com 3日?qǐng)?bào)導(dǎo)，BlueFin Research Partners分析師Steve Mullane在觀察過英特爾各大半導(dǎo)體材料供應(yīng)商的生產(chǎn)數(shù)據(jù)后指出，英特爾正在持續(xù)減少新墨西哥州Fab 11X廠、亞利桑那州Fab 32廠的產(chǎn)能，而以色列的Fab 28則預(yù)備要在明年初導(dǎo)入10奈米制程。

　　報(bào)告并稱，位于奧勒岡、亞利桑那和愛爾蘭的三座高產(chǎn)能廠房，14奈米制程的產(chǎn)能還在持續(xù)增加中，至于Fab 11X廠的老舊制程則明顯降低。

　　英特爾才剛在9月發(fā)布采用14奈米制程、“Kaby Lake”架構(gòu)的第七代Core系列處理器，最近還預(yù)測(cè)7-9月當(dāng)季營(yíng)收有望成長(zhǎng)15%，以此來(lái)看，英特爾在資料中心/物聯(lián)網(wǎng)(IoT)/記憶體的長(zhǎng)期發(fā)展依舊相當(dāng)不錯(cuò)。

　　先前有外資指出，臺(tái)積電的晶圓代工能力，大約比英特爾領(lǐng)先一年。

　　barron`s.com 9月27日?qǐng)?bào)導(dǎo)，美系外資發(fā)表研究報(bào)告指出，臺(tái)積電在技術(shù)、處理ARM制程的能力、晶圓產(chǎn)能、成本結(jié)構(gòu)、生產(chǎn)彈性、資產(chǎn)負(fù)債表和整體價(jià)值方面，都比英特爾 來(lái)得強(qiáng)勢(shì)。雖然英特爾微處理器的科技、制程都較佳，但晶圓代工能力卻落后微處理器制造技術(shù)至少兩年，因此大概比臺(tái)積電晚了一年左右。也就是說(shuō)，英特爾短期 內(nèi)難以對(duì)臺(tái)積電產(chǎn)生實(shí)質(zhì)威脅。

　　相較之下，臺(tái)積電的10奈米、7奈米制程技術(shù)雖落后英特爾，但臺(tái)積電比英特爾提前1-2年跨入7奈米制程，可藉此縮 短兩家公司的差距。臺(tái)積電在獨(dú)家封裝技術(shù)“整合型扇出型封裝”(integrated fan-out，InFO)的協(xié)助下，有望在2017年、2018年霸占10奈米和7奈米晶圓代工市場(chǎng)。

　　WCCFtech 9月25日?qǐng)?bào)導(dǎo)，臺(tái)積電研發(fā)單位已在內(nèi)部會(huì)議中，揭露未來(lái)幾年的最新研發(fā)藍(lán)圖，根據(jù)幾名資深高層的說(shuō)法，該公司今年底就會(huì)轉(zhuǎn)換至10奈米，7奈米則會(huì)在明 年試產(chǎn)、估計(jì)明年4月就可接單，而16奈米FinFET compact制程(FFC，比16FF+更精密)也將在今年導(dǎo)入。7奈米制程可大幅提升省電效能(時(shí)脈約3.8Ghz、核心電壓(vcore)達(dá) 1V)，臨界電壓(threshold voltage)最低可達(dá)0.4V，適用溫度約為150度。